[实用新型]密封槽及半导体真空设备有效
申请号: | 202022828524.3 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN213242508U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 孙虎 | 申请(专利权)人: | 上海诺硕电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201508 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 半导体 真空设备 | ||
本实用新型提供了一种密封槽,所述密封槽的开口端设有压合件,所述密封槽内放置密封圈,所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合,所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部,所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。本实用新型通过在所述密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部,为膨胀变形的密封圈提供了缓冲空间,可有效地减缓密封圈的内部受力,减缓密封圈因受力积累而造成的损伤,从而延长密封圈的使用寿命,保障了密封圈的密封效果。本实用新型还提供了一种半导体真空设备,所述半导体真空设备包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板,所述真空箱的箱体与所述盖板贴合的一端面设有所述密封槽。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种密封槽及半导体真空设备。
背景技术
半导体制造,经常需要在能制造真空环境的半导体真空设备中进行,半导体真空设备一般包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板,盖板通常为石英制成,硬度较大,而真空箱通常由金属材料制成,也是高硬度的,故而为了保证密封效果,在盖板和真空箱之间需要使用密封圈加以密封。申请号为CN201920486577.6的中国专利公开了一种半导体设备,所述半导体设备包括腔体、密封门和隔板,述腔体具有开口,以及围绕所述开口设置的朝腔内凹陷的凹槽;所述隔板可拆卸地嵌设于所述凹槽内;所述密封门位于所述腔体外且相对所述腔体可移动,以遮蔽所述开口,所述密封门的一侧表面内嵌设有密封圈。该专利是在凹槽内放置隔板,密封圈嵌在密封门中以保证密封效果。但在密封门开设嵌入密封圈的容纳槽的加工步骤复杂,而且密封效果不佳。
图1为现有技术中半导体真空设备的结构剖视示意图,如图1所示,通常是在原真空箱40与原盖板30贴合的一端面设有放置原密封圈20的原密封槽10以保证密封效果。图2为图1中原密封槽与原密封圈的剖视放大示意图,如图2所示,原密封槽10呈凹字形,包括陷于壁面顶部13的平坦的底面11和垂直于底面11的两面侧壁面12,壁面顶部13分别与两面侧壁面12之间形成有夹角14。原密封圈20放置于所述原密封槽10内并高出壁面顶部13一定高度,原密封圈20通常为橡胶等材料制成,具有一定的弹性和强度。当原盖板30盖合在原真空箱40上时,原盖板30会给原密封圈20施加压合力,从而使得原密封圈20在原密封槽10内膨胀变形,尤其是原真空箱40内部是需要抽真空的,而抽真空后,在大气压力下,作用在原密封圈20上的压力会使原密封圈20的膨胀变形更大。而原密封圈20与原密封槽10之间,因为要防止产生大的相对滑动而引起原密封圈20上的原盖板30不稳,故原密封圈20与原密封槽10之间的间距很小,即原密封圈20在原密封槽10内膨胀变形的缓冲空间很小,当所述原密封圈20在压合力下而产生膨胀时,原密封圈20的两侧侧面很容易就会接触并挤压原密封槽10的两面侧壁面12,导致施加在原密封圈20上的反作用压力极大,容易损坏原密封圈20。同时原密封槽10膨胀往壁面顶部13和原盖板30之间的缝隙处跑出构成跑余量时,原密封圈20将会以很大的力挤压夹角14,而夹角14很容易划伤原密封圈20。尤其是考虑到原真空箱40是需要断续地抽真空的,即原密封圈20在交替式的压力下,重复上述受力和变形过程,会极大的缩短原密封圈20的寿命。
因此,有必要设计一种新型的密封槽以避免现有技术中存在的上述问题。
实用新型内容
本实用新型提供了一种密封槽及半导体真空设备,目的是解决现有技术中密封圈在密封槽内膨胀变形的缓冲空间小的问题。
为实现上述目的,第一方面,本实用新型公开了一种密封槽,所述密封槽的开口端设有压合件,所述密封槽内放置密封圈,所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合,所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部,所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造