[实用新型]密封槽及半导体真空设备

权利要求书

1.一种密封槽，所述密封槽的开口端设有压合件，所述密封槽内放置密封圈，所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合，其特征在于，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部，所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。

2.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面设有缓冲部。

3.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一径向方向的全部内侧面设有缓冲部。

4.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的径向深度相同或不同。

5.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的径向深度不超过所述密封槽的侧壁的厚度的30％。

6.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的纵向高度大于等于所述密封槽的深度的10％。

7.根据权利要求6所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部靠近所述密封槽的内底面的一端与所述密封槽的内底面的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的90％。

8.根据权利要求6所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面设置至少2个所述缓冲部，且相邻的两个所述缓冲部相靠近的两端的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的80％。

9.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的内表面与所述密封槽的内侧面、所述密封槽的顶端面、所述密封槽的内底面、相邻的所述缓冲部的内表面中的任意一面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。

10.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的内侧面与所述密封槽的顶端面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。

11.根据权利要求9或10所述密封槽，其特征在于，所述连续连接方式为相切连续、曲率连续、曲率变化率连续、曲率变化率的变化率连续中的任意一种。

12.根据权利要求9或10所述密封槽，其特征在于，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面内凹。

13.根据权利要求9或10所述密封槽，其特征在于，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面外凸。

14.一种半导体真空设备，包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板，其特征在于，所述真空箱的箱体与所述盖板贴合的一端面设有如权利要求1-13中任一项所述密封槽。

15.根据权利要求14所述半导体真空设备，其特征在于，所述半导体真空设备还设置有等离子体刻蚀装置、真空溅射装置、真空热蒸镀装置、化学气相沉积装置、物理气相沉积装置、分子束外延装置、原子层沉积装置、真空热退火装置以及离子注入装置中的至少一种。