[实用新型]一种半导体用复合层生长槽有效
| 申请号: | 202021382047.6 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN212669791U | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 卢荣贵 | 申请(专利权)人: | 东莞市伟腾半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/365 |
| 代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
| 地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 复合 生长 | ||
本实用新型公开了一种半导体用复合层生长槽,包括主体机构和支撑机构,主体机构的下端设置有支撑机构,筒体的内部设置有活动槽,活动槽的内部设置有盛放槽,盛放槽通过活动槽与筒体活动连接,采用抽屉式拿取法,使得在对原材料的拿取上变得更加简单方便,减少原材料与工作人员的肢体相接触的机会,也就间接减少了原材料受外界环境污染的概率,确保原材料的质量不受影响,且筒体的内壁上固定安装有保护壁,保护壁为一种玻璃纤维材料制成的构件,且厚度为3mm‑5mm,其具有良好的隔热性能,使得外界的热量难以传递进来,提高生长质量。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造设备技术领域,具体为一种半导体用复合层生长槽。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件,无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的,大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联,常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
目前半导体复合层的生长采用超高真空化学气相沉积法,但是这种生长槽在对原材料进行拿放时,较为麻烦,且容易与外界空气中的灰尘相接触,对半导体的本身具有一定的损害,且当原材料与反应气体进行反应后,生产槽内会残留有部分的反应气体,难以清理干净。
针对以上问题,对现有装置进行了改进,提出了一种半导体用复合层生长槽。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体用复合层生长槽,采用本装置进行工作,从而解决了上述背景中原材料的拿取较为麻烦,生长槽内部难以清理的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体用复合层生长槽,包括主体机构和支撑机构,主体机构的下端设置有支撑机构,所述主体机构包括筒体、加强座和差压泵,筒体的上表面固定安装有加强座,加强座的上表面设置有差压泵,差压泵与外界电源电性连接,筒体的下端设置与支撑机构相连接,支撑机构包括底板和活动筒,底板的上表面固定安装有活动筒,底板通过活动筒与筒体活动连接。
进一步地,所述筒体包括进气管、活动槽、保护壁、曲型管和底槽,筒体的上表面固定安装有进气管,筒体通过进气管与外界氯硅源气体相连通,筒体的内部设置有活动槽,筒体的内壁上固定安装有保护壁,曲型管设置在筒体的内部,曲型管的管壁与筒体的内壁相贴合,筒体的底部开设有底槽。
进一步地,所述活动槽的内部设置有盛放槽,盛放槽通过活动槽与筒体活动连接,曲型管的外表面上设置有喷头,喷头通过曲型管与差压泵的一端相连接,差压泵的另一端设置有外接管,差压泵通过外接管与外界相连通。
进一步地,所述底板的外表面上固定安装有电动推杆,电动推杆的一端与底板的上表面相连接,电动推杆的另一端与筒体的底部相连接。
进一步地,所述活动筒包括连接孔和外接小孔,活动筒的上表面设置有连接孔,活动筒的外表面上开设有外接小孔,活动筒与底槽活动连接,活动筒通过连接孔与筒体相连通。
进一步地,所述保护壁为一种玻璃纤维材料制成的构件,且厚度为3mm-5mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1.本实用新型提出的一种半导体用复合层生长槽,在筒体的内部设置有活动槽,活动槽的内部设置有盛放槽,盛放槽通过活动槽与筒体活动连接,采用抽屉式拿取法,使得在对原材料的拿取上变得更加简单方便,减少原材料与工作人员的肢体相接触的机会,也就间接减少了原材料受外界环境污染的概率,确保原材料的质量不受影响,且筒体的内壁上固定安装有保护壁,保护壁为一种玻璃纤维材料制成的构件,且厚度为3mm-5mm,其具有良好的隔热性能,使得外界的热量难以传递进来,提高生长质量。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





