[实用新型]图形化衬底和LED外延结构有效
| 申请号： | 202020962372.3 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN211858674U | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/10 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 led 外延 结构 | ||
1.一种图形化衬底，其特征在于：
所述图形化衬底包括基板、缓冲层以及图形化层；
所述缓冲层设于所述基板之上，所述图形化层设于所述缓冲层背离所述基板的一侧；
所述图形化层包含多个微结构，相邻两个所述微结构间隔一间隙露出所述缓冲层形成生长区，所述微结构的表面形成多个凹陷的次级微结构。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述图形化层为二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于：所述缓冲层为氮化物缓冲层，其厚度范围为0.1nm～1μm。
4.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于：所述缓冲层在与所述微结构的结合处还形成有一凸起的微结构基底，所述微结构设于所述微结构基底之上，所述微结构基底的厚度大于或等于所述缓冲层的厚度。
5.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于：所述微结构的下端面形状与所述微结构基底的上端面形状一致，二者无缝贴合，共同形成一光滑的外壁面。
6.根据权利要求5所述的图形化衬底，其特征在于：所述微结构和所述微结构基底的总厚度范围为0.1～5μm，所述微结构基底的底部外径范围为1～10μm。
7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述生长区的长度范围为0.1～3μm。
8.一种LED外延结构，其特征在于：所述LED外延结构包括如权利要求1-7任一所述的图形化衬底，以及形成于所述图形化衬底上的半导体层，所述半导体层沿所述生长区向上生长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技（宿迁）有限公司，未经聚灿光电科技（宿迁）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020962372.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电子设备
- 下一篇：一种建筑工地用线缆支撑架
