[发明专利]光传感器及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供一种光传感器及其制作方法、显示面板，光传感器包括多个光传感器矩阵单元，光传感器矩阵单元包括一感应TFT、一放大TFT、一开关TFT以及一存储电容器，其中感应TFT的有源层为非晶硅，放大TFT的有源层为氧化物半导体，感应TFT与放大TFT连接，放大TFT与开关TFT连接，开关TFT控制被感应TFT探测且经过放大TFT放大的电信号的读取，当其为开启状态时，将电信号传递给信号读取电路。通过采用3T1C架构作为光传感器矩阵单元，取代了传统的2T1C架构，能够实现光传感器对弱光的探测，有效地提高了光传感器的光响应，具有高光响应和高信噪比；感应TFT和放大TFT的制备共用多道黄光工艺，既降低成本，又可充分发挥a‑Si大面积均匀性高的优势。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光传感器及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着显示面板在手机、电视、平板电脑、智能手表等电子产品上的迅速发展，人们对智能显示的追求也越来越高，可集成化的光传感器凭借其在远程光互动、手势感应、环境光感应以及个人身份识别等领域的应用，有望实现集多种功能的新型智能显示屏。

基于非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的光传感器因其具有工艺成熟、大面积均匀性高、成本低、响应度高、信噪比高以及尺寸小等优势，受到了广泛的关注。请参考图1，传统的a-Si TFT的光传感器矩阵单元采用2T1C架构，一般由一个感应TFT(sensor TFT)、一个存储电容器C_st和一个开关TFT(switch TFT)构成，感应TFT的有源层采用非晶硅(a-Si)，光传感器矩阵单元采用这种架构时，其开关TFT读取端(Readout)的信号大小取决于a-Si TFT的光响应，这限制了光传感器对弱光的探测以及信噪比。

综上所述，需要提供一种新的光传感器及其制备方法、显示面板，来解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供的光传感器及其制备方法、显示面板，解决了现有光传感器中采用2T1C架构作为光传感器矩阵单元时，开关TFT读取端的信号大小取决于a-Si TFT的光响应，从而限制了光传感器的对弱光的探测以及信噪比的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种光传感器，包括：

感应基板；

盖板，与所述感应基板相对间隔设置；

多个光传感器矩阵单元，设置于所述感应基板上，并位于所述感应基板和所述盖板之间，所述多个光传感器矩阵单元包括一感应TFT、一放大TFT、一开关TFT以及一存储电容器，所述感应TFT包括第一有源层，所述放大TFT包括第二有源层，所述开关TFT包括第三有源层，所述第一有源层的材料为非晶硅，所述第二有源层的材料为氧化物半导体；

其中，所述感应TFT与所述放大TFT连接，所述放大TFT与所述开关TFT连接，所述感应TFT用于将探测到的光信号转化为电信号，所述存储电容器用于根据所述感应TFT中的所述电信号存储电荷，所述开关TFT控制被所述感应TFT探测且经过所述放大TFT放大的所述电信号传递至信号读取电路。

根据本发明实施例提供的光传感器，所述多个光传感器矩阵单元包括：

第一栅极、第二栅极以及第三栅极，设置于所述感应基板上；

栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极；

所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第一有源层与所述第一栅极对应设置，所述第二有源层与所述第二栅极对应设置，所述第三有源层与所述第三栅极对应设置；

欧姆接触层，设置于所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层上；