[发明专利]光传感器及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种光传感器，其特征在于，包括：

感应基板；

盖板，与所述感应基板相对间隔设置；

多个光传感器矩阵单元，设置于所述感应基板上，并位于所述感应基板和所述盖板之间，所述多个光传感器矩阵单元包括一感应TFT、一放大TFT、一开关TFT以及一存储电容器，所述感应TFT包括第一有源层，所述放大TFT包括第二有源层，所述开关TFT包括第三有源层，所述第一有源层的材料为非晶硅，所述第二有源层的材料为氧化物半导体，所述放大TFT的跨导大于所述感应TFT的跨导；

其中，所述感应TFT与所述放大TFT连接，所述放大TFT与所述开关TFT连接，所述感应TFT用于将探测到的光信号转化为电信号，所述存储电容器用于根据所述感应TFT中的所述电信号存储电荷，所述开关TFT控制被所述感应TFT探测且经过所述放大TFT放大的所述电信号传递至信号读取电路。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述多个光传感器矩阵单元包括：

第一栅极、第二栅极以及第三栅极，设置于所述感应基板上；

栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极；

所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第一有源层与所述第一栅极对应设置，所述第二有源层与所述第二栅极对应设置，所述第三有源层与所述第三栅极对应设置；

欧姆接触层，设置于所述第一有源层、所述第二有源层以及所述第三有源层上；

第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极、第三源极和第三漏极，设置于所述欧姆接触层上；

其中，所述感应TFT包括所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极，所述放大TFT包括所述第二栅极、所述第二源极以及所述第二漏极，所述开关TFT包括所述第三栅极、所述第三源极以及所述第三漏极。

3.根据权利要求2所述的光传感器，其特征在于，所述第一源极与所述第二栅极连接，所述第二源极与所述第三漏极连接。

4.根据权利要求3所述的光传感器，其特征在于，所述光传感器还包括覆盖所述感应TFT、所述放大TFT以及所述开关TFT的保护层，所述保护层和所述栅极绝缘层上设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔内设置有导电层，所述第一源极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔内的所述导电层与所述第二栅极连接。

5.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述第二有源层的材料为IZO、In2O3、IGZO以及ZnO中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述盖板靠近所述感应基板的一侧设置有遮光层，所述遮光层与所述放大TFT及所述开关TFT对应设置。

7.根据权利要求6所述的光传感器，其特征在于，所述遮光层的材料为金属、金属氧化物以及黑矩阵树脂中的一种或多种。