[发明专利]高效率封装的IGBT模块

说明书

本发明涉及一种高效率封装的IGBT模块。其包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，且功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷板通过超声波焊接或软钎料焊接固定。本发明结构紧凑，采用超声波焊接，能提高IGBT模块的生产效率以及质量。

技术领域

本发明涉及一种IGBT模块，尤其是一种高效率封装的IGBT模块。

背景技术

IGBT模块是一种标准尺寸的模块产品，由于其优越的开关性能被广泛应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。IGBT模块是内部相对复杂的一种产品，制造工艺繁琐。常用的IGBT模块一般包括三个功率端子以及四个控制端子。

目前，根据功率端子、控制端子的结构等情况，IGBT模块的功率端子、控制端子通过焊锡焊接的方式实现装配连接。由于焊锡焊接工艺的特性，功率端子在焊锡焊接时会受加热的影响，从而在生产过程中带来的变形、倾斜等问题会影响模块的组装，进而影响IGBT模块的生产进度与可靠性。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种高效率封装的IGBT模块，其结构紧凑，采用超声波焊接，能提高IGBT模块的生产效率以及质量。

按照本发明提供的技术方案，所述高效率封装的IGBT模块，包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；

功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷板通过超声波焊接固定或通过软钎料焊接固定。

在封装底板的一端部设置控制端子覆铜陶瓷板，控制端子板组安装在所述控制端子覆铜陶瓷板上，且控制端子板组内的控制端子连板间相互独立。

所述控制端子板组包括控制端子第一连板、控制端子第二连板、控制端子第三连板以及控制端子第四连板，控制端子第一连板、控制端子第二连板、控制端子第三连板以及控制端子第四连板垂直固定在控制端子覆铜陶瓷板上，

控制端子第一连板、控制端子第二连板、控制端子第三连板以及控制端子第四连板通过连接键合引线组实现与第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体所需的电连接。

所述功率端子组包括第一功率端子体、第二功率端子体以及第三功率端子体，第一功率端子体、第二功率端子体以及第三功率端子体均垂直分布于封装底板上方；

第一功率端子体位于模块第一覆铜陶瓷板上，且功率端子第一板体与第一IGBT芯片单元体内第一IGBT芯片的集电极端以及第一快恢复二极管芯片的阴极端连接，第二功率端子体横跨在模块第一覆铜陶瓷板以及模块第二覆铜陶瓷板上，第二功率端子体与第一IGBT芯片的发射极端以及第一快恢复二极管芯片的阳极端电连接；第三功率端子体设置于模块第二覆铜陶瓷板上，且第三功率端子体与第二IGBT芯片单元体内第二IGBT芯片的发射极端以及第二快恢复二极管芯片的阴极端连接。

所述第一功率端子体包括端子顶板以及设置于所述端子顶板两端的端子侧板，所述端子侧板的一端与端子顶板连接，端子侧板的另一端设置端子体连接板；