[发明专利]图像传感器及其深沟槽的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S01，提供具有第一侧衬底，所述衬底的第二侧与所述衬底的第一侧相对；

步骤S02，对所述衬底的第一侧进行硅衬底减薄处理；

步骤S03，在所述衬底的第一侧表面沉积第一牺牲层；

步骤S04，在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层；

步骤S05，图形化所述第二牺牲层，形成贯穿所述第二牺牲层的第一开口；

步骤S06，在所述第二牺牲层表面和所述第一开口的侧壁和底部沉积第三牺牲层；

步骤S07，去除所述第三牺牲层的水平部分，所述第三牺牲层的垂直部分在所述第一开口的侧壁形成侧壁保护墙；

步骤S08，以所述第二牺牲层和所述侧壁保护墙为掩膜，刻蚀所述第一牺牲层，在所述第一开口底部形成贯穿所述第一牺牲层的第二开口；

步骤S09，以所述侧壁保护墙为掩膜，刻蚀去除所述第二牺牲层，并在所述第二开口底部的衬底内形成第三开口；

步骤S10，去除所述侧壁保护墙和所述第一牺牲层；

步骤S11，在所述衬底表面及所述第三开口的侧壁和底部沉积介质层，在介质层上形成填充所述第三开口的填充层；

步骤S12，平坦处理所述衬底。

2.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第一开口具有第一开口尺寸，所述第二开口具有第二开口尺寸，所述第一开口尺寸大于所述第二开口尺寸。

3.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第三开口具有第三开口尺寸，所述第一开口尺寸大于所述第三开口尺寸。

4.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，采用第一刻蚀工艺去除所述第三牺牲层的水平部分，所述第一刻蚀工艺为各向异性的刻蚀工艺；所述侧壁保护墙的顶面尺寸小于所述侧壁保护墙的底面尺寸。

5.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，采用第二刻蚀工艺形成所述第二开口，所述第二刻蚀工艺为各向异性的刻蚀工艺；采用第三刻蚀工艺形成所述第三开口，所述第三刻蚀工艺为各向异性的刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氧化钽中的一种或多种组合，所述第一牺牲层的厚度为1nm～1000nm。

7.如权利要求1或6所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第三牺牲层的材料不同于所述第一牺牲层的材料。

8.如权利要求7所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第三牺牲层的材料包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化钛、氮化钽、氧化钛、氧化钽中的一种或多种组合，所述第三牺牲层的厚度为1nm～1000nm。

9.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括多晶硅，所述第二牺牲层的厚度为1nm～3500nm。

10.如权利要求1所述的图像传感器的深沟槽的制作方法，其特征在于，所述填充层的材料包括钨。