[发明专利]化学气相沉积装置及其温度控制方法

说明书

本申请提供一种化学气相沉积装置，包括一基板座、一主加热系统及一辅助加热系统。该主加热系统是用以将该基板座以及在该基板座上的基板的温度加热至一预设值。该辅助加热系统是用以将该基板的各个部位的温度从该预设值加热至各自的温度目标值。该辅助加热系统可以局部加热基板的各个部位，以使基板的各个部位的温度相同或不同。本申请还提供一种化学气相沉积装置的温度控制方法包括：利用一主加热系统对一基板座以及一基板加热，其中该基板是被放置在该基板座上；以及在该基板的温度达到一预设值后，利用至少一辅助加热系统对该基板加热，以使该基板上各个部位的温度达到各自的温度目标值，其中该基板上各个部位的温度目标值可以相同或不同。

技术领域

本发明是有关一种化学气相沉积装置，特别是关于一种具有多个加热系统的化学气相沉积装置及其温度控制方法。

背景技术

图1显示传统的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)装置10的一部分。图2显示图1中化学气相沉积装置10的局部剖面图。参照图1及图2，化学气相沉积装置10包括一基板座12、一盖板14以及一加热系统16。基板座12具有多个容置槽121、122、123、124、125及126用以放置基板20。盖板14可以覆盖基板座12。基板座12与盖板14之间形成一反应室18。反应室18内可注入要进行CVD的反应气体。加热系统16位于基板座12的下方，加热系统16包括加热器162，加热器162可以是热阻丝加热器或射频加热器。

在理想状况下，基板20在CVD制程期间，基板20各部位的温度应该一致。然而，基板20在CVD制程中可能产生翘曲(warpage)，如图3所示基板20的中心处向上拱起，这将导致基板20中心的温度低于基板20二侧的温度。

发明内容

本发明的目的之一，在于提出一种具有多个加热系统的化学气相沉积装置及其温度控制方法。

本发明的目的之一，在于提出一种对基板局部加热的化学气相沉积装置及其温度控制方法。

根据本发明，一种化学气相沉积装置包括一基板座、一主加热系统及至少一辅助加热系统。该基板座是用以放置基板。该主加热系统是用以将该基板座以及该基板的温度加热至一预设值。该至少一辅助加热系统是用以将该基板的各个部位的温度从该预设值加热至各自的温度目标值。该主加热系统的功率高于该至少一辅助加热系统的功率，而该至少一辅助加热系统的加热速度快于该主加热系统的加热速度。该至少一辅助加热系统可以局部加热基板的各个部位，以控制基板的各个部位的温度相同或不同。该至少一辅助加热系统包括红外线加热器或激光加热器。该化学气相沉积装置更包括一传感器用以感测该基板座上的基板的各个部位的温度产生一温度传感信号给该至少一辅助加热系统。

根据本发明，一种化学气相沉积装置的温度控制方法包括：利用一主加热系统对一基板座以及一基板加热，其中该基板是被放置在该基板座上；以及在该基板的温度达到一预设值后，利用至少一辅助加热系统对该基板加热，以使该基板上各个部位的温度达到各自的温度目标值，其中该基板上各个部位的温度目标值可以相同或不同。本发明的温度控制方法还包括感测该基板的各个部位的温度产生一温度传感信号给该辅助加热系统。该至少一辅助加热系统可依据该温度传感信号对该基板上各个部位的温度进行控制。

附图说明

图1显示传统的化学气相沉积装置的一部分。

图2显示图1中化学气相沉积装置的局部剖面图。

图3显示图2中基板产生翘曲的示意图。

图4显示本发明化学气相沉积装置的第一实施例。

图5显示图4中化学气相沉积装置的局部剖面图。

图6显示图5中辅助加热系统的第一实施例。

图7显示图5中辅助加热系统的第二实施例。

图8显示图5中辅助加热系统的第三实施例。