[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板通过在所述双栅极薄膜晶体管设置过孔，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔电连接，所述GOA电路通过所述扫描线与所述顶栅或底栅电连接，使得所述顶栅将扫描信号传递至所述底栅，或者将所述底栅的扫描信号传递至所述顶栅，从而实现单根扫描线驱动所述双栅极薄膜晶体管，进而减少所述GOA电路的数量，达到缩窄显示面板边框的效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平面显示装置的重要组成部分。TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关部件和驱动部件用在诸如LCD、OLED等平面显示装置上。

目前，大部分的OLED设备采用的是LTPS(Low Temperature Poly-silicon低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面板技术。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎，但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势。因此，技术人员开发出来了LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板，LTPO显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势。

但是，LTPO技术会造成薄膜晶体管漏电流增大，所以通常将氧化物半导体薄膜晶体管替换LTPO电路中容易漏电的部分，但是在实际的开发过程中，氧化物半导体薄膜晶体管容易发生阈值电压漂移问题，造成漏电流增大，甚至无法正常关闭问题，所以在现有设计中引入双栅极设计，即一个薄膜晶体管同时利用上下两层扫描线控制，扫描线连接同一栅极驱动信号，以此降低漏电流。但是此技术会带来一些副作用：引入双栅信号，会导致电路中出现额外寄生电容增加的问题，从而导致栅极驱动信号的RC Loading增大。为了减小所述RC Loading，需要在AA区(显示区)右侧额外添加一组GOA驱动电路，多添加的一组GOA驱动电路会使得显示面板的边框增大。

发明内容

为解决以上问题，本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，旨在解决电路中引入双栅信号，导致GOA驱动电路数量增加，使得显示面板边框增大的问题。

一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底；多个子像素，设于所述衬底上且呈阵列排布；GOA电路，设于所述多个子像素所在区域的外侧；及多条扫描线，与所述子像素和所述GOA电路电性连接；

其中，所述子像素包括至少一个双栅极薄膜晶体管，所述双栅极薄膜晶体管设置有过孔，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔电连接，所述GOA电路通过所述扫描线与所述顶栅或所述底栅电连接，来传输所述GOA电路的扫描驱动信号。

在一些实施方案中，所述双栅极薄膜晶体管为双栅极氧化物半导体薄膜晶体管。

在一些实施方案中，所述子像素还包括至少一个多晶硅薄膜晶体管。

在一些实施方案中，所述子像素的电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)以及1个电容(C1)，所述子像素的薄膜晶体管中至少有两个为双栅极氧化物半导体薄膜晶体管。