[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

多个子像素，设于所述衬底上且呈阵列排布；

GOA电路，设于所述多个子像素所在区域的外侧；及

多条扫描线，与所述子像素和所述GOA电路电性连接；

其中，所述子像素包括至少一个双栅极薄膜晶体管，所述双栅极薄膜晶体管设置有过孔，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔电连接，所述GOA电路通过所述扫描线与所述顶栅或所述底栅电连接；

其中，所述子像素的电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管以及1个电容，所述子像素的薄膜晶体管中至少有两个为双栅极氧化物半导体薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述双栅极薄膜晶体管为双栅极氧化物半导体薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素还包括至少一个多晶硅薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔中设置有连接电极，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔中的连接电极电连接。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备多个子像素、GOA电路及多条扫描线，所述子像素包括至少一个双栅极薄膜晶体管；

在所述双栅极薄膜晶体管上形成过孔，使所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔电连接，所述GOA电路通过所述扫描线与所述顶栅或所述底栅电连接；

其中，所述子像素的电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管以及1个电容，所述子像素的薄膜晶体管中至少有两个为双栅极氧化物半导体薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述子像素的制备方法，包括：

在所述衬底上形成多晶硅半导体层；

在所述多晶硅半导体层上依次形成第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极，所述第二栅极作为所述双栅极薄膜晶体管的底栅；

在所述第二栅极上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层上形成第一层间介质层孔；

在所述层间介质层上形成氧化物半导体层；

在所述半导体层上依次沉积第三栅极绝缘层和第三栅极，所述第三栅极作为所述双栅极薄膜晶体管的顶栅；

在所述第三栅极上形成第二层间介质层，在所述第二层间介质层上形成第二层间介质层孔，所述第一层间介质层孔与所述第二层间介质层孔作为所述双栅极薄膜晶体管的过孔；

在所述第二层间介质层上形成第一源漏极层，所述第一源漏极层包括连接电极，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅和底栅通过所述过孔中的连接电极电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述子像素的制备方法，还包括：

在所述第一源漏极层上依次形成钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层；

在所述第二平坦层上沉积阳极；

在所述阳极上形成像素定义层，在所述像素定义层上设置支撑柱。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化物半导体层材料采用铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物或铟镓锌锡氧化物中的至少一种。