[发明专利]便于散热的DFN封装器件有效
申请号: | 202011463072.1 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN112563226B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 | 申请(专利权)人: | 西安航思半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/29 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 王健 |
地址: | 710300 陕西省西安市鄠*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 便于 散热 dfn 封装 器件 | ||
本发明公开了一种便于散热的DFN封装器件,其环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂50~70份、液体丁腈橡胶12~18份、焦碳酸二乙酯3~8份、硅微粉65~90份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1~1.5份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2~5份、醋酸丁酸纤维素2~6份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺0.3~2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚0.5~5份、脱模剂1~5份、阻燃剂10~25份;该便于散热的DFN封装器件散热效果、力学性能优异,封装结构稳定可靠,具有广阔的应用前景。
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,尤其涉及一种便于散热的DFN封装器件。
背景技术
DFN是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热,围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于DFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线,内部引脚与焊盘之间的导电路径短,自感系数以及封装体内布线电阻很低,所以它能提供卓越的电性能,而得到广泛应用。
由于在封装过程中环氧树脂组成物流动性差或固化不均一,易导致内部的气体未被完全排出而产生气孔,进而导致封装器件吸湿导致可靠性失效,且内部气孔的产生还可能会导致导热性能降低从而引起电性方面的失效或热量损耗。因此,如何提供一种内部气孔的发生率低的便于散热的DFN封装器件,成为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本发明目的在于提供一种便于散热的DFN封装器件,该封装器件散热效果、力学性能优异,封装结构稳定可靠,具有广阔的应用前景。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种便于散热的DFN封装器件,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述芯片位于散热焊盘上,位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘,所述导电焊盘和芯片通过一引线连接;
所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽,从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部,所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层,所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔,所述换热盲孔中具有银浆填充部;
所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂85份、线型酚醛树脂50份、液体丁腈橡胶18份、焦碳酸二乙酯3份、硅微粉65份、聚乙二醇单辛基苯基醚 1.5份、3-氨基丙基三乙氧基硅烷3份、醋酸丁酸纤维素2份、5-氟-2-甲氧基苯胺0.3份、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚0.5份、脱模剂2份、阻燃剂25份。
上述技术方案中进一步改进的技术方案如下:
1. 上述方案中,所述沉槽深度不大于芯片厚度设置。
2. 上述方案中,所述阻燃剂为硼酸盐和/或钼酸盐。
3. 上述方案中,所述硅微粉为熔融硅微粉。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1、本发明便于散热的DFN封装器件,其在散热焊盘的中部开设与芯片匹配的沉槽,从而使得在贴装芯片时,工作人员将银浆置于沉槽中,并将对应的芯片安装进沉槽即可;此时,芯片下部嵌于沉槽中,不仅其底部能够通过形成的银浆层与沉槽底部粘结,芯片下部的侧壁也能与沉槽外部的围堰部的内壁通过银浆层相互粘结,不仅芯片与银浆层的接触面积有所增加,而且银浆层与散热焊盘的接触面积也有所增加,从而使得单位时间内,更多的热量在芯片与银浆层之间、银浆层与散热焊盘之间传导,进而改善DFN封装半导体器件的散热效果。
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