[发明专利]一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法

权利要求书

1.一种硅基滤波芯片，包括： n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，还包括输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述输入馈线槽和第一缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的首位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输入馈线槽与第一缺陷耦合槽连通，进行待滤波信号的输入；所述输出馈线槽和第二缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的末位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输出馈线槽与第二缺陷耦合槽连通，输出滤波信号；其特征在于，设置激光贯穿通孔，贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，分布在相邻两个硅腔谐振单元的通孔的两侧，或者相邻两个硅腔谐振单元的金属层相接处。

2.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片，其特征在于所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔，所述通孔贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，且通孔侧壁溅射和电镀金。

3.根据权利要求2所述的硅基滤波芯片，其特征在于所述通孔为全通孔或半通孔。

4.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片，其特征在于所述n≥1，且为整数，所述n大于1时，n个硅腔谐振单元排列成矩阵，相邻两个硅腔谐振单元边缘的半通孔对应组合为全通孔。

5.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片，其特征在于所述输入馈线槽和输出馈线槽延伸至第一金属层边缘，所述输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽深度与第一金属层厚度对等。

6.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片，其特征在于所述激光贯穿通孔采用激光击穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层形成。

7.一种硅基滤波芯片频率偏移修正方法，包括： n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；还包括输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述输入馈线槽和第一缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的首位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输入馈线槽与第一缺陷耦合槽连通，进行待滤波信号的输入；所述输出馈线槽和第二缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的末位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输出馈线槽与第二缺陷耦合槽连通，输出滤波信号；设置激光贯穿通孔，贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，分布在相邻两个硅腔谐振单元的通孔的两侧，或者相邻两个硅腔谐振单元的金属层相接处；其特征在于，所述激光贯穿通孔采用激光点烧击穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层形成；

当加工出的硅基滤波芯片频率稍微向低频偏移时，激光贯穿通孔打在相邻两个硅腔谐振单元的通孔的两侧，可将通带频率上移实现频率偏移修正的功能；

当加工出的硅基滤波芯片频率大幅向低频偏移时，激光贯穿通孔打在相邻两个硅腔谐振单元的金属层相接处，可将通带频率大幅上移，且上移程度与激光通孔向硅腔谐振单元内移动的距离有关，越向内，上移程度越大，实现频率偏移修正的功能。