[发明专利]红外探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器的P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。

2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。

3.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。

4.根据权利要求1至3任一项所述的红外探测器，其特征在于，所述红外探测器还包括：包括衬底(10)、N型接触层(11)、超晶格吸收层(13)、P型接触层(15)、第一电极(16)以及第二电极(17)；

其中，所述N型接触层(11)、所述N型超晶格势垒层(12)、所述超晶格吸收层(13)、所述P型超晶格势垒层(14)以及所述P型接触层(15)依序层叠在所述衬底(10)上，所述第一电极(16)设置在所述N型接触层(11)上，所述第二电极(17)设置在所述P型接触层(15)上。

5.根据权利要求4所述的红外探测器，其特征在于，

所述N型超晶格势垒层(12)的有效带宽大于所述超晶格吸收层(13)的有效带宽，且所述N型超晶格势垒层(12)的导带与所述超晶格吸收层(13)的导带平齐；

和/或，所述P型超晶格势垒层(14)的有效带宽大于所述超晶格吸收层(13)的有效带宽，且所述P型超晶格势垒层(14)的价带与所述超晶格吸收层(13)的价带平齐。

6.一种红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：利用P型InPSb/GaSb超晶格制作形成所述红外探测器的P型超晶格势垒层(14)。

7.根据权利要求6所述的红外探测器的制作方法，其特征在于，还包括：利用N型InPSb/GaSb超晶格制作形成所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)。

8.一种红外探测器的制作方法，其特征在于，利用N型InPSb/GaSb超晶格制作形成所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)。

9.根据权利要求6至8任一项所述的红外探测器的制作方法，其特征在于，在制作形成所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)之前，所述制作方法还包括：在衬底(10)上制作形成N型接触层(11)；

所述制作形成所述红外探测器的N型超晶格势垒层(12)包括：利用N型InPSb/GaSb超晶格在所述N型接触层(11)上制作形成所述N型超晶格势垒层(12)；

在制作形成所述红外探测器的P型超晶格势垒层(14)之前，所述制作方法还包括：在所述N型超晶格势垒层(12)上制作形成超晶格吸收层(13)；

所述制作形成所述红外探测器的P型超晶格势垒层(14)，包括：利用P型InPSb/GaSb超晶格在所述超晶格吸收层(13)上制作形成P型超晶格势垒层(14)；

在制作形成所述红外探测器的P型超晶格势垒层(14)之后，所述制作方法还包括：在所述P型超晶格势垒层(14)上制作形成P型接触层(15)；形成与所述N型接触层(11)接触的第一电极(16)，且在所述P型接触层(15)上沉积第二电极(17)。

10.根据权利要求9所述的红外探测器的制作方法，其特征在于，

所述N型超晶格势垒层(12)的有效带宽大于所述超晶格吸收层(13)的有效带宽，且所述N型超晶格势垒层(12)的导带与所述超晶格吸收层(13)的导带平齐；

和/或，所述P型超晶格势垒层(14)的有效带宽大于所述超晶格吸收层(13)的有效带宽，且所述P型超晶格势垒层(14)的价带与所述超晶格吸收层(13)的价带平齐。