[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和环绕所述第一区的第二区，所述第二区的顶部表面低于所述第一区的顶部表面；

在所述待刻蚀层上形成第一图形材料层；

向所述第一图形材料层表面注入第一离子，使位于所述第二区上的第一图形材料层脱落，至少部分脱落的第一图形材料层黏附至所述待刻蚀层表面形成残留物；

清洗去除所述残留物；

清洗去除所述残留物后，在所述第一图形材料层表面形成图像化结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图像化结构内具有第一开口，所述第一开口底部暴露出部分第一图形材料层；所述形成方法还包括：向所述第一开口底部注入第二离子，使所述第一开口底部暴露出的第一图形材料层形成改性区；去除所述改性区，使所述第一图形材料层形成第一图形层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一图形材料层前，还包括：在所述待刻蚀层表面形成第二图形材料层，所述第二图形材料层位于所述第一图形材料层与所述待刻蚀层之间。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二图形材料层的材料包括氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向所述第一图形材料层表面注入第一离子，使位于所述第二区上的第一图形材料层脱落的同时，也使位于所述第二区上的第二图形材料层脱落。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一图形层侧壁形成侧墙。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述侧墙之前，还去除所述图像化结构；形成所述侧墙后，去除所述第一图形层。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所述侧墙为掩膜刻蚀所述第二图形材料层，直到露出待刻蚀层表面，形成第二图形层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图像化结构包括位于所述第一图形层表面的第一抗反射层，位于所述第一抗反射层表面的第二抗反射层，以及位于所述第二抗反射层表面的光刻胶层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一抗反射层的材料包括含碳的聚合物。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二抗反射层的材料包括有机聚合物。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形材料层的材料包括硅。

14.权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，清洗去除所述残留物的工艺为湿法工艺。

15.权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法工艺的清洗液包括含二氧化碳的去离子水。