[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，其包括：

第一导电结构，其包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层；及

第二导电结构，其接合到所述第一导电结构，所述第二导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层；

其中所述第一导电结构的所述电路层的分布密度大于所述第二导电结构的所述电路层的分布密度，且所述第二导电结构的大小小于所述第一导电结构的大小。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二导电结构的外围侧表面与所述第一导电结构的外围侧表面之间的间隙等于或小于75μm。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其进一步包括：

至少一个导电连接元件，其安置于所述第二导电结构与所述第一导电结构之间，且将所述第二导电结构与所述第一导电结构接合在一起。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其进一步包括：

保护层，其安置于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间，其中所述保护层包含直接接触所述第二导电结构的第一外围侧表面的第一部分。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述保护层进一步包含直接接触所述第二导电结构的第二外围侧表面的第二部分。

6.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述保护层包含底填充料。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其进一步包括：

至少一个半导体装置，其电连接到所述第一导电结构；以及

封装体，其包封所述至少一个半导体装置，其中所述封装体的外围侧表面与所述第一导电结构的外围侧表面大致上共面。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其进一步包括：

保护层，其安置于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间，其中所述保护层包含沿着所述第二导电结构的外围侧表面延伸的部分，且所述保护层的所述部分的外围侧表面与所述封装体的所述外围侧表面大致上共面。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其中所述第二导电结构具有面向所述第一导电结构的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述保护层的所述部分从所述第二导电结构的所述第二表面突出。

10.一种封装结构，其包括：

第一导电结构，其包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层；

第二导电结构，其接合到所述第一导电结构，所述第二导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层，其中所述第一导电结构的所述电路层的分布密度大于所述第二导电结构的所述电路层的分布密度；及

保护层，其位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间，其中所述保护层的一部分沿着所述第二导电结构的外围侧表面延伸。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其中所述保护层的所述部分的厚度等于或小于75μm。

12.根据权利要求10所述的封装结构，其中所述保护层的所述部分沿着从所述第二导电结构的面向所述第一导电结构的第一表面朝向所述第二导电结构的与所述第一表面相对的第二表面的方向逐渐变窄。

13.根据权利要求12所述的封装结构，其中所述保护层的所述部分在界面处直接接触所述第二导电结构的所述外围侧表面，且所述界面的长度与所述第二导电结构的所述外围侧表面的长度的比率大于0.8。

14.根据权利要求10所述的封装结构，其中所述第二导电结构具有面向所述第一导电结构的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述保护层的所述部分部分地覆盖所述第二导电结构的所述第二表面。