[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的一侧上形成叠层结构以及贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中的存储串单元；

在所述叠层结构的远离所述衬底的表面上形成盖帽层，以覆盖所述叠层结构的所述表面和所述存储串单元的顶部；

形成贯穿所述叠层结构和所述盖帽层并延伸至所述衬底中以及与所述存储串单元具有间距的共源极孔；

经由所述共源极孔，在所述叠层结构中形成栅极间隙；

在所述栅极间隙的内壁和所述共源极孔的侧壁上形成栅极阻挡层；

在所述栅极阻挡层的位于所述栅极间隙中的部分上形成栅极层；

在所述共源极孔的侧壁上形成保护层以覆盖所述共源极孔的侧壁以及所述栅极层的端部，所述栅极阻挡层和所述保护层均包括氧化铝；

去除所述栅极阻挡层和所述保护层的位于所述共源极孔的底表面上以及所述盖帽层的远离所述衬底的表面上的部分；以及

在所述保护层上形成第一沉积层和第二沉积层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括在形成有所述保护层、所述第一沉积层和所述第二沉积层的所述共源极孔中形成共源极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括高介电常数材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沉积层和所述第二沉积层中至少之一包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极层包括在所述栅极阻挡层上依次形成黏合层和金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述栅极层还包括：

去除所述栅极层位于所述栅极间隙外的部分以暴露所述黏合层和所述金属层的端部。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属层包括钨。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述共源极孔后，所述方法还包括经由所述共源极孔对所述衬底进行掺杂，以形成公共源区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，还包括：

去除所述第一沉积层和所述第二沉积层的位于所述共源极孔的底表面上的部分，以暴露所述公共源区。

10.三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底的一侧上，所述叠层结构包括交替叠置的多个栅极层和多个电介质层；

存储串单元，贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中；

盖帽层，覆盖所述叠层结构的远离所述衬底的表面和所述存储串单元的顶部；

共源极，贯穿所述叠层结构和所述盖帽层并延伸至所述衬底中，所述共源极与所述存储串单元具有间距；

侧壁结构，覆盖所述共源极的侧壁，位于所述共源极与所述叠层结构之间，所述侧壁结构依次包括高介电常数层、第一沉积层和第二沉积层；以及

栅极阻挡层，在所述侧壁结构与所述盖帽层之间以及所述多个栅极层与所述多个电介质层之间形成连续膜结构，其中，所述栅极阻挡层与所述高介电常数层均包括氧化铝。

11.根据权利要求10所述的存储器，其中，所述第一沉积层和所述第二沉积层中至少之一包括氧化硅。

12.根据权利要求10所述的存储器，其中，所述栅极层包括黏合层和金属层，所述黏合层与所述金属层的端部由所述侧壁结构覆盖。

13.根据权利要求12所述的存储器，其中，所述金属层包括钨。

14.根据权利要求10所述的存储器，其中，在所述衬底中与所述共源极对应的位置处还包括公共源区。