[发明专利]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置有效

专利信息
申请号: 202011282176.2 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112531084B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 刘士伟;徐瑾;刘可;王水杰;张中英;曾合加 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/46;H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 代理人: 吴圳添
地址: 361000 福建省厦门市火炬*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: led 芯片 封装 模组 显示装置
【权利要求书】:

1.一种LED芯片,其特征在于,包括:

衬底;

第一台面结构,所述第一台面结构位于所述衬底上;

第二台面结构,所述第二台面结构位于所述衬底上;

至少一个跨接电流阻挡块,所述跨接电流阻挡块覆盖所述第一台面结构的部分上表面和部分侧面,并覆盖所述第一台面结构和第二台面结构之间的部分凹槽;

跨接导电块,所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同,所述跨接导电块主体部分位于所述跨接电流阻挡块上,所述跨接导电块的第一端电连接所述第一台面结构的顶层,所述跨接导电块的第二端电连接所述第二台面结构的底层;

第一导电垫,所述第一导电垫位于所述第一台面结构上方;

第二导电垫,所述第二导电垫位于所述第二台面结构上方;

所述跨接电流阻挡块的俯视投影具有头部和尾部;

所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部;

所述结部落在所述头部内,所述第一接触部落在所述尾部内;

所述头部未与所述结部重叠的部分具有第一宽度,所述尾部未与所述第一接触部重叠的部分具有第二宽度,所述第一宽度大于所述第二宽度;所述第一宽度的大小为3μm至100μm。

2.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第二宽度的大小为大于或者等于0μm,并且小于或者等于至30μm。

3.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述头部的宽度是所述尾部宽度的1.5倍以上。

4.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述跨接导电块为两个,且分别位于整个俯视投影区域的两个相对边缘。

5.如权利要求1或4所述的LED芯片,其特征在于,所述跨接导电块的俯视投影与所述第一导电垫和第二导电垫的俯视投影没有重叠部分。

6.如权利要求4所述的LED芯片,其特征在于,所述第二导电垫俯视投影的一部分夹在两个所述跨接导电块之间,所述第一导电垫的俯视形状和第二导电垫的俯视形状基本对称。

7.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述结部的宽度大于所述第一接触部的宽度;所述结部的宽度大于所述第二接触部的宽度。

8.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述结部的平分线与所述第一接触部的平分线重合于第一直线,所述第二接触部的平分线为第二直线,所述第一直线平行于所述第二直线,所述第二接触部连接所述结部的外拐角;或者,所述结部的平分线与所述第二接触部的平分线重合于第一直线,所述第一接触部的平分线为第二直线,所述第一直线平行于所述第二直线,所述第一接触部连接所述结部的内拐角。

9.如权利要求8所述的LED芯片,其特征在于,还包括:

第一电流扩展层,所述第一电流扩展层位于所述第一台面结构上方,所述第一导电垫位于所述第一电流扩展层上方,所述跨接导电块通过连接所述第一电流扩展层电连接所述第一台面结构的顶层;

第二电流扩展层,所述第二电流扩展层位于所述第二台面结构上方,所述第二导电垫位于所述第二电流扩展层上方;

所述跨接导电块的俯视投影与第二电流扩展层的俯视投影没有重叠部分。

10.如权利要求9所述的LED芯片,其特征在于,还包括第一DBR反射层,所述第一DBR反射层覆盖所述第一电流扩展层和第二电流扩展层;所述第一导电垫位于所述第一DBR反射层上,并且所述第一导电垫贯穿所述第一DBR反射层以电连接所述第一台面结构的底层;所述第二导电垫位于所述第一DBR反射层上,并且所述第二导电垫贯穿所述第一DBR反射层以电连接所述第二电流扩展层;所述第一DBR反射层同时作为钝化保护层。

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