[发明专利]一种基于Flip-chip连接的超薄封装件及其制作工艺在审
| 申请号： | 202011244501.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112349674A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 肖国庆 | 申请（专利权）人： | 江西芯世达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 孙文伟 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 flip chip 连接 超薄 封装 及其 制作 工艺 | ||
1.一种基于Flip-chip连接的超薄封装件，其特征在于：所述封装件包括：
塑封体(4)、芯片(3)、多个金属凸点(2)、镀银层(5)、镀NiPdAu层(6)、铜倒角连接层(7)以及引线框架(1)；
所述镀银层(5)为多段式层结构，且形成相互独立间隔的层段；
所述芯片(3)的电气面植有所述金属凸点(2)；所述芯片(3)通过所述金属凸点(2)电气接合于所述所述镀银层(5)上；
所述塑封体(4)能够将所述金属凸点(2)、所述芯片(3)、所述镀银层(5)、所述镀NiPdAu层(6)和所述铜倒角连接层(7)填充包围；
所述金属凸点(2)与引线框架(1)通过导线连通；使其所述金属凸点(2)、所述镀银层(5)、所述铜倒角连接层(7)与所述镀NiPdAu层(6)构成电路的电源和信号通道。
2.如权利要求1所述的一种基于Flip-chip连接的超薄封装件，其特征在于：
所述塑封体(4)为绝缘材质，填充在整个封装件的空间内部。
3.一种基于Flip-chip连接的超薄封装件的制作工艺，其特征在于：具体按照以下步骤进行：
步骤1，在所述引线框架(1)的预定位置上镀NiPdAu，并形成所述镀NiPdAu层(6)；所述镀NiPdAu层(6)的厚度为3um～5um；
步骤2，在步骤1所述镀NiPdAu层(6)上形成所述铜倒角连接层(7)，所述铜倒角连接层(7)的厚度为50um～100um；并腐蚀成倒凸台；
步骤3，在步骤2所述铜倒角连接层(7)上镀所述镀银层(5)；所述镀银层(5)的厚度为3um～5um；
步骤4，进行减薄处理，减薄厚度为50μm～200μm，并控制表面粗糙度为Ra 0.10mm～0.05mm；
步骤5，采用划片机进行划片；
步骤6，在所述芯片(3)上用植球的方式作出所述金属凸点(2)，倒装上芯后直接和所述引线框架(1)连通；
步骤7，对整体进行塑封，塑封料填充满所述铜倒角连接层(7)的凹槽，形成有效的防拖拉结构，确保封装可靠性；
步骤8，用化学溶液腐蚀掉全部所述引线框架(1)，并露出所述镀NiPdAu层(6)；
步骤9，将步骤8形成的封装件进行切割、包装。
4.如权利要求3所述的一种基于Flip-chip连接的超薄封装件的制作工艺，其特征在于：
所述铜倒角连接层(7)的材质为A194。
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