[发明专利]MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备

说明书

本发明公开一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备。其中，所述MEMS皮拉尼计包括：基底；绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。本发明的技术方案能够克服目前皮拉尼计的总体尺寸大、难以集成且不利于小型化发展的问题。

技术领域

本发明涉及皮拉尼计技术领域，特别涉及一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备。

背景技术

随着微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)的工艺发展，MEMS传感器的也朝着小型化、集成化、高性能趋势发展。由于MEMS传感器尺寸不断减小，对微小颗粒敏感程度不断增加，因此对封装要求不断提高，而高性能传感器对封装更为苛刻，其封装的真空度直接影响传感器的品质因素。

为了能实时监测MEMS传感器封装后的真空度，需要一种在MEMS传感器封装腔体内监测压强的传感器。其中，皮拉尼计可以利用某些金属或者半导体薄膜电阻值随温度敏感变化，根据不同真空度的散热不同的原理，用待测端之间不同的电压值来标定相应的真空度，实现实时检测。但是目前的皮拉尼计总体尺寸较大，难以集成，当应用于MEMS传感器时不利于其小型化发展。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备，旨在克服目前皮拉尼计的总体尺寸大、难以集成且不利于小型化发展的问题。

为实现上述目的，本发明提出的MEMS皮拉尼计，包括：基底；绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。

在一实施例中，所述绝缘隔热层设置有至少两层。

在一实施例中，所述绝缘隔热层的厚度范围为3um-5um。

在一实施例中，所述金属发热体为金属层，所述金属层的厚度范围为10nm-100nm。

在一实施例中，所述基底背向所述绝缘隔热层的表面开设有对流孔，所述对流孔贯穿所述基底的另一表面，并对应于所述金属发热体。

在一实施例中，所述MEMS皮拉尼计还包括截止层，所述截止层设于所述基底与所述绝缘隔热层之间。

在一实施例中，所述截止层开设有贯穿孔，所述贯穿孔贯穿所述截止层的两表面，并与所述对流孔对应且相连通。

在一实施例中，所述对流孔和所述贯穿孔均为圆形，所述贯穿孔的直径不小于所述对流孔的直径。

本发明还提出了一种MEMS皮拉尼计的制作方法，包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底的一表面制作绝缘隔热层；

在所述绝缘隔热层背向所述基底的表面制作金属发热体。

在一实施例中，在所述基底的一表面制作绝缘隔热层的步骤中，包括：

在所述基底的一表面依次制作至少两层绝缘隔热层。

在一实施例中，在所述绝缘隔热层背向所述基底的表面制作金属发热体的步骤之后，还包括：

对所述基底背向所述绝缘隔热层的表面进行蚀刻，得到贯穿所述基底另一表面且与所述金属发热体对应的对流孔。

在一实施例中，在所述基底的一表面制作绝缘隔热层的步骤中，包括：

在基底的一表面制作截止层，并在所述截止层背向所述基底的表面制作绝缘隔热层；