[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202011240168.1 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112366208A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 卢玉群;李杰;虞阳;姜春桐;陈腾;王玲玲;王文强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板,包括:基底,基底包括屏下摄像头区域,屏下摄像头区域包括开口区,还包括:柔性层,位于基底一侧,在基底上的正投影与开口区无重叠。背板层,位于柔性层远离基底一侧,包括多层透光膜层,且至少一层透光膜层在基底上的正投影覆盖开口区。发光器件层,位于背板层远离基底一侧,包括阴极,阴极在基底上的正投影与开口区无重叠。这使得开口区内的通孔变为盲孔,开口区位置处开孔的孔深变浅,在进行后续封装时,容易使得有机封装层流平。另外,阴极在基底上的正投影与开口区无重叠,盲孔处没有阴极层,不需要进行阴极去除,采用正常的能量就可以进行激光剥离工艺,分离基底和柔性层。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体为一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着科技不断的进步,人们对智能终端(例如,手机)的需求和要求日益增长,屏下摄像头技术的出现越来越受到用户的欢迎。目前的屏下摄像头显示面板制备工艺采用的是在背板工艺中通过气体刻蚀的方法将屏下摄像头部分未显示区域进行刻蚀,形成开口区(AAHole),之后,整个显示面板进行正常的发光器件层和封装层制作工艺,之后再进行激光剥离工艺。
但是,本申请的发明人发现,目前的屏下摄像头显示面板制备工艺存在以下三点技术问题:
(1)激光剥离工艺过程中,高能量激光会造成开口区及其附近区域产生较多灰化残留,影响显示面板的透过率;(2)部分开口区位置处会出现膜层剥离风险;(3)封装层制作工艺过程中,导致有机封装层流平困难,影响正常工艺。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,用于解决现有技术屏下摄像头显示面板存在的由于灰化残留而影响显示面板透过率、有机封装层流平困难以及存在膜层剥离风险的问题。
为了解决上述问题,本申请实施例主要提供如下技术方案:
在第一方面中,本申请实施例公开了一种显示面板,包括:基底,所述基底包括屏下摄像头区域,所述屏下摄像头区域包括开口区,还包括:
柔性层,位于所述基底一侧,在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠;
背板层,位于所述柔性层远离所述基底一侧,包括多层透光膜层,且至少一层所述透光膜层在所述基底上的正投影覆盖所述开口区;
发光器件层,位于所述背板层远离所述基底一侧,包括阴极,所述阴极在所述基底上的正投影与所述开口区无重叠。
可选地,所述背板层包括:依次叠层在所述柔性层上的第一透光膜层、有源层、第二透光膜层、栅极、第三透光膜层、源漏极、第四透光膜层、第五透光膜层、阳极、第六透光膜层和第七透光膜层;其中:
所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层为无机膜层;
所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层为有机膜层。
可选地,在所述开口区:所述基底被所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地,在所述开口区:所述基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层和所述第四透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地,在所述开口区:基底被所述第一透光膜层、所述第二透光膜层、所述第三透光膜层、所述第四透光膜层、所述第五透光膜层、所述第六透光膜层和所述第七透光膜层中的一层或多层覆盖。
可选地,所述发光器件层包括:依次叠层设置的有机发光层、阴极、光耦合层和光取出层;
所述有机发光层、所述光耦合层和所述光取出层分别在所述基底上的正投影区域均覆盖所述开口区;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的