[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括基底，所述基底包括阵列区以及围绕所述阵列区的周边电路区；

所述阵列区内设有阵列排布的多个电容器，位于所述阵列区的边缘的数个所述电容器中，任意连续相邻的三个所述电容器的中心连线构成的一个虚拟角大于90°。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阵列排布的多个电容器包括排列成若干行和若干列的所述电容器组，位于所述阵列区的边缘的数个电容器包括位于所述若干行电容器组和所述若干列电容器组的端点处的所述电容器。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，位于所述若干行电容器组和所述若干列电容器组的端点处的所述电容器的中心连线形成具有倒角的矩形。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在具有倒角的矩形中，位于相邻的两个直边上所述电容器的中心与位于所述两个直边之间的所述倒角上的所述电容器的中心的连线构成虚拟钝角三角形。

5.根据权利要求2-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，位于相邻行的端点处的所述电容器同时位于不同列上，位于相邻列的端点处的所述电容器同时位于不同行上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，相邻行之间的垂直距离与相邻列之间的垂直距离不等。

7.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括设置在所述基底上的支撑层，所述支撑层上形成多个电容孔，每个所述电容孔内设有一个所述电容器。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，以平行于所述基底的截面为横截面，所述支撑层的横截面外轮廓为圆形或者环形。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述环形包括多个依次首尾连接的连接段，至少部分相邻的两个所述连接段之间采用弧形过渡；或者，所述环形包括多个依次首尾连接的直线段，至少部分相邻的两个所述直线段之间夹角为钝角。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，两个所述连接段之间的弧形的切线方向，与该弧形连接的所述连接段之间的夹角为钝角。

11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：

提供基底，所述基底包括阵列区以及围绕所述阵列区的周边电路区；

在所述基底上形成支撑层；

在与所述阵列区对应的所述支撑层内形成多个电容器，多个电容器阵列排布在所述阵列区上，位于所述阵列区的边缘上的数个所述电容器中，任意连续相邻的三个所述电容器的中心连线构成的一个虚拟角大于90°。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在与所述阵列区对应的所述支撑层内形成多个电容器的步骤中包括：

在与所述阵列区对应的所述支撑层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括第一掩膜图案，所述第一掩膜图案包括交替设置的多个第一遮挡区和多个第一开口区；

在与所述周边电路区对应的所述支撑层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层包括第二掩膜图案，所述第二掩膜图案包括第二遮挡区和第二开口区，所述第二遮挡区用于覆盖部分所述第一遮挡区和部分所述第一开口区，且所述第二遮挡区的两个相邻接的边缘之间采用弧形过渡；

去除与所述第一开口区对应的所述支撑层，在与所述阵列区对应的所述支撑层内形成多个电容孔；

在所述电容孔内形成第一电极层。