[发明专利]显示面板及其制作方法在审
| 申请号： | 202011222618.4 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112420740A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙荷静;邱恒达;周航 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的辅助层与有源层，所述辅助层与所述有源层同层设置；
其中，所述辅助层由疏水性材料构成，以及所述有源层远离所述衬底一侧的第一表面与所述衬底平行。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助层由第一溶液经第一去溶剂化处理形成；
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一溶液经所述第一去溶剂化处理后形成一疏水性材料层，所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层，所述疏水性材料为疏水性全氟树脂材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层由第二溶液经第二去溶剂化处理形成，所述第二溶液包括铟元素、镓元素、及锌元素。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二溶液中铟元素、镓元素、及锌元素的含量比为3.2～4.8:0.8～1.2:0.8～1.2。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层远离所述衬底一侧的所述第一表面与所述辅助层的第二表面位于同一平面内。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极；
所述栅极包括与所述衬底平行的第一区以及位于所述第一区两侧的第二区，所述第二区与所述衬底形成的夹角为80至110度。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于栅极以及所述有源层之间的绝缘层，所述绝缘层与所述辅助层一体设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述辅助层上的凸起，所述凸起远离所述衬底的一侧为弧形；
所述弧形向远离所述衬底的方向凸出。
10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上经第一预设工艺形成辅助层；
在所述衬底上经第二预设工艺形成有源层；
在所述有源层上经第三预设工艺形成源漏极层；
其中，所述辅助层由疏水性材料构成，以及所述有源层远离所述衬底的一侧的第一表面与所述衬底平行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
