[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审
| 申请号: | 202011218447.8 | 申请日: | 2020-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN114446798A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
| 地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
本公开提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该方法包括:将设有贯通开口的布线基板贴装于载板上;在载板暴露于贯通开口的表面贴装裸片组件,裸片组件包括第一裸片以及附接于第一裸片的第二裸片,第一裸片设有焊垫的正面面向载板,第二裸片设有焊垫的正面背向载板;在贯通开口的侧壁与裸片组件之间填充塑封层,并去除载板;形成第一导电结构,第一裸片的焊垫与布线基板均电连接于第一导电结构;形成第二导电结构,第二裸片的焊垫与布线基板均电连接于第二导电结构。本公开能够解决由于裸片上的布线密度过高所导致的布线困难的问题。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。
背景技术
随着科技的飞速发展,半导体器件在社会生产和生活中获得了越来越广泛的应用。
目前,人们常常将具有不同功能的裸片封装在一个封装结构中,以形成具有特定作用的多芯片组件multi-chip module(MCM)。其中,各个裸片的表面均形成有导电结构,各个裸片通过各自的导电结构与别的裸片进行电连接。然而,由于导电结构中的布线密度较高,导致布线较为困难。
发明内容
本公开的目的在于提供一种半导体封装方法及半导体封装结构,能够解决由于裸片上的布线密度过高所导致的布线困难的问题。
根据本公开的一个方面,提供一种半导体封装方法,包括:
将布线基板贴装于载板上,所述布线基板设有贯通开口;
在所述载板暴露于所述贯通开口的表面贴装裸片组件,所述裸片组件与所述贯通开口间隙配合,所述裸片组件包括第一裸片以及附接于所述第一裸片的第二裸片,所述第一裸片设有焊垫的正面面向所述载板,所述第二裸片设有焊垫的正面背向所述载板;
在所述贯通开口的侧壁与所述裸片组件之间填充塑封层,并去除所述载板;
形成第一导电结构,所述第一裸片的焊垫与所述布线基板均电连接于所述第一导电结构;
形成第二导电结构,所述第二裸片的焊垫与所述布线基板均电连接于所述第二导电结构。
进一步地,所述第一裸片的正面设有第一保护层,所述第二裸片的正面设有第二保护层,在所述载板暴露于所述贯通开口的表面贴装裸片组件包括:
使所述裸片组件贴装于所述载板暴露于所述贯通开口的表面,并使所述第一保护层面向所述载板的表面与所述布线基板面向所述载板的表面平齐,使所述第二保护层背向所述载板的表面与所述布线基板背向所述载板的表面平齐。
进一步地,在所述贯通开口的侧壁与所述裸片组件之间填充塑封层包括:
形成覆盖所述布线基板和所述裸片组件的塑封材料层,所述塑封材料层的部分区域填充于所述贯通开口的侧壁与所述裸片组件之间;
将所述塑封材料层减薄,以露出所述布线基板以及所述第二保护层,减薄后的所述塑封材料层位于所述贯通开口的侧壁与所述裸片组件之间区域形成所述塑封层。
进一步地,所述第二导电结构包括第二再布线层,形成第二导电结构包括:
在所述第二保护层上形成暴露所述第二裸片的焊垫的第二开口;
形成覆盖所述第二保护层、所述塑封层以及所述布线基板的第二再布线层,所述第二再布线层填充所述第二开口。
进一步地,所述第一保护层设有暴露所述第一裸片的焊垫的第一开口,所述第一导电结构包括第一再布线层,形成第一导电结构包括:
形成覆盖所述第一保护层、所述塑封层以及所述布线基板的第一再布线层,所述第一再布线层填充所述第一开口。
进一步地,在所述载板暴露于所述贯通开口的表面贴装裸片组件包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011218447.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体产品校准装置
- 下一篇:半导体封装方法及半导体封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





