[发明专利]一种气密高导热LCP封装基板及多芯片系统级封装结构

权利要求书

1.一种气密高导热LCP封装基板，其特征在于，包括：

从表面至底面分布的n层图形化金属线路层，表面的第一层图形化金属线路层的最外围至少一条边上，分布有所述LCP封装基板对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形；

位于相邻图形化金属线路层之间的n-1层绝缘介质层；所述n-1层绝缘介质层均由LCP基板构成；

位于第一层图形化金属线路层和第二层图形化金属线路层之间的绝缘介质层中，且开口朝向表面的第一层图形化金属线路层的多个盲槽；所述盲槽包括普通芯片安装盲槽和大功率芯片安装盲槽；

位于绝缘介质层中且与大功率芯片安装盲槽的底部相接的金属块；

贯穿并连接相邻图形化金属线路层的多个盲孔，其中有若干盲孔分布在所述对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形上；

所述第一层图形化金属线路层包括在最外围的对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形，内侧的环绕金属层，以及在环绕金属层内侧的多组芯片I/O焊接及信号传输线路层，每组芯片I/O焊接及信号传输线路层的形状为矩形或异形的孤岛，且每组芯片I/O焊接及信号传输线路层经一个电绝缘区域与环绕金属层相接；该环绕金属层的电学属性为接地层、工艺属性为气密焊接层；所述第一层图形化金属线路层上表面依次设有涂覆层和上表面阻焊层；所述涂覆层覆盖所述对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形、环绕金属层和每组芯片I/O焊接及信号传输线路层；所述上表面阻焊层包括第一环绕阻焊层和多个第二环绕阻焊层，其中，每个第二环绕阻焊层对应围绕每个电绝缘区域，所述第一环绕阻焊层围绕所有第二环绕阻焊层；

每组芯片I/O焊接及信号传输线路层内，包含芯片I/O焊盘及信号传输线路，以及一个或多个盲槽；每组芯片I/O焊接及信号传输用线路层内信号的传输，通过该组芯片I/O焊接及信号传输用线路层内的芯片I/O焊盘及信号传输线路，或者经由各层盲孔及下层图形化金属线路层中对应部分共同完成；两组及以上芯片I/O焊接及信号传输层之间，以及多组芯片I/O焊接及信号传输层与对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形之间的信号传输，由各层盲孔及下层图形化金属线路层中对应部分共同完成。

2.根据权利要求1所述的LCP封装基板，其特征在于，所述普通芯片安装盲槽和大功率芯片安装盲槽在第一层图形化金属线路层的开口周围是芯片I/O焊盘或图形；所述普通芯片安装盲槽底部为第二层图形化金属线路层中的大面积金属接地层；所述普通芯片安装盲槽和大功率芯片安装盲槽的底部具有涂覆层。

3.根据权利要求1所述的LCP封装基板，其特征在于，所述盲槽的数量和大小根据安装芯片的数量和大小确定。

4.根据权利要求1所述的LCP封装基板，其特征在于，所述金属块的厚度根据大功率芯片的散热要求确定；并且所述金属块底部与其下方用于接地的盲孔相连接。

5.根据权利要求4所述的LCP封装基板，其特征在于，所述金属块的材料为金属铜。

6.根据权利要求1所述的LCP封装基板，其特征在于，所有盲孔在垂直方向上对正或错排堆叠，用于实现n层图形化金属线路层中任意层互联要求；每个盲孔的直径相同，且盲孔深径比≤1，盲孔内填充实心电镀铜。

7.根据权利要求1所述的LCP封装基板，其特征在于，第n层图形化金属线路层的工艺属性和电学属性为大面积金属接地层。

8.一种多芯片系统级封装结构，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的LCP封装基板，以及芯片、金属围框和金属盖板；

所述多芯片系统级封装结构以导电胶粘接或焊接的方式固定于PCB母板上，以位于所述LCP封装基板上的对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形作为该多芯片系统级封装结构对外的二次级联I/O接口；

所述金属围框中分布有金属隔筋；所述金属围框和金属隔筋焊接于LCP封装基板上表面并使所述对外二次级联I/O焊接用焊盘或图形在金属围框之外，所述金属盖板焊接于金属围框和金属隔筋上，使LCP封装基板和金属盖板之间，通过金属围框和金属隔筋形成具有气密封装性能和电磁屏蔽性能的多个空腔结构；每个空腔结构中包含一个或多个盲槽；每个盲槽用于安装一个芯片，当安装的芯片无电磁屏蔽要求时，则安装在同一空腔结构中，当安装的芯片有电磁屏蔽要求时，则安装在不同空腔结构中；所述芯片通过导电胶粘接于盲槽中，并通过金丝键合的方式与第一层图形化金属线路层中的芯片I/O焊接及信号传输用线路层实现电气互连。