[发明专利]快速散热紫外LED器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种快速散热紫外LED器件及其制作方法，其制备方法包括：S10、LED模组的制作：制作陶瓷底座：将陶瓷材料制作成陶瓷底座，陶瓷底座内包括多列沟槽；制作金属架：将金属片切割成多个金属条，金属条平行间隔排列构成金属架；LED模组组装：将金属架连接在陶瓷底座上，将LED芯片阵列固定在金属架上，进行气密性封装；S20、电连接：将LED模组的沟槽与导液管连通，将沟槽与导液管中灌满电解液，形成密封回路，接入蠕动泵与电源，电解液在密封回路中循环流动并实现与LED模组的电连接。其目的在于解决目前LED器件导电性能可靠性低、散热效率低的技术问题。

技术领域

本发明属于半导体器件领域，更具体地，涉及一种快速散热紫外LED器件及其制作方法。

背景技术

UVC LED电光转换效率低，大部分能量转化为热量发出，而UVC LED结温要求较高，热衰减快，目前行业内多采用导热率高的覆铜氮化铝陶瓷支架。传统的UVC LED散热依靠垂直热沉，热量由UVC LED芯片传递到铜焊盘、氮化铝、SET贴面锡膏层、基板，最后是散热单元，需要经过5个界面，在大功率UVC LED器件中，该散热方式越来越无法满足要求。

为了提升UVC LED器件功率，势必会增加器件尺寸和芯片数量，但随之在LED器件的制作过程中可能会产生如下两个问题：(1)增加器件尺寸，需要增加输入电流，而现在不论是DPC还是HTCC工艺氮化铝支架，都是采用过孔(通孔，微孔)工艺做电连接，在器件封装过程的峰值回流工艺或共晶焊工艺中，会因高温出现过孔凸起等异常，随着使用电流的增加，还容易出现失效。并且过孔工艺复杂，加工成本高，本身也不能增加尺寸，也不能设计于芯片附近，因而在大功率UVC LED器件中急需一种更可靠的导电性能更优的氮化铝基板电连接方法；(2)增加器件尺寸，将一个支架一颗芯片的模式变成一个支架多颗芯片的模式，需要做更多的出光设计与反光设计，避免其中一颗UVC LED芯片发出的光射入其它UVC LED芯片以及每颗UVC LED芯片之间的相互影响，而现有的覆铜氮化铝支架，反射UVC光线主要靠镀金表面，金是镀在铜材表面，铜是通过电镀生长，但使用电镀生长出一定形状的反光斜面成本较高，因而急需一种提升每颗芯片出光效率的低成本支架制作方法。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种快速散热紫外LED器件及其制作方法，其目的在于解决目前LED器件导电性能可靠性低、散热效率低的技术问题。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种快速散热紫外LED器件，包括：

S10、LED模组的制作：制作陶瓷底座：将陶瓷材料制作成陶瓷底座，所述陶瓷底座内包括多列沟槽；制作金属架：将金属片切割成多个金属条，所述金属条平行间隔排列构成金属架；LED模组组装：将所述金属架连接在所述陶瓷底座上，将LED芯片阵列固定在所述金属架上，进行气密性封装；S20、电连接：将所述LED模组的沟槽与导液管连通，将沟槽与导液管中灌满电解液，形成密封回路，接入电源，实现与LED模组的电连接。

优选地，所述导液管包括第一管路与第二管路，所述步骤S20包括：将所述第一管路的第一端口连接至所述沟槽的一端，将所述第二管路的第一端口连接至所述沟槽的另一端；在所述导液管上接入电源、蠕动泵；将所述第一管路的第二端口与所述第二管路的第二端口插入盛有电解液容器的液面以下，开启所述蠕动泵，使所述沟槽与导液管中灌满电解液；将所述第一管路与所述第二管路连接，然后取出第一管路与第二管路，即形成密封回路。

优选地，所述LED模组为多个，所述步骤S20包括：在相邻的所述LED模组的沟槽端口处连接密封圈，然后通过闭锁夹将所有LED器件的边缘锁住；将所述导液管与最外侧的两个LED模组的沟槽连通，并在所述导液管上接入电源、蠕动泵；松开所述闭锁夹，将所有LED模组放入盛有电解液容器的液面以下，开启所述蠕动泵，使所述沟槽与导液管中灌满电解液，锁紧所述闭锁夹，取出LED模组，即形成密封回路。