[发明专利]一种显示面板及制作方法在审
申请号: | 202011015005.3 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112103327A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 骆丽兵 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 | ||
本发明提供一种显示面板及制作方法,其中制作方法包括如下步骤:在基板上制作栅极;制作第一绝缘层;制作有源层;制作光阻隔保护层,所述光阻隔保护层覆盖所述有源层,所述光阻隔保护层用于阻挡和隔绝光线;在光阻隔保护层的上表面制作反射面,所述反射面用于阻挡和隔绝光线;在光阻隔保护层上制作孔,光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层,光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点;制作源极和漏极,所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层;制作显示功能层。上述技术方案在有源层上制作阻挡光线入侵的光阻隔保护层,光阻隔保护层具有良好的紫外线屏蔽性,同时保障薄膜晶体管的稳定性。
技术领域
本发明涉及显示面板制作领域,尤其涉及一种显示面板及制作方法。
背景技术
AMOLED全称为:Active-matrix organic light-emitting diode,译为:有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体,是一种显示屏技术。其中,“OLED”为有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器;“AM”为有源矩阵体或称主动式矩阵体是指背后的像素寻址技术。与较传统的TFT-LCD显示器相比,其具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等优异特性,成为了现今主流的显示屏技术。
IGZO(indium gallium zinc oxide)显示屏技术作为一种新型的薄膜电晶体技术,由于其能耗低、响应时间快、低温制造、良好的弯曲性能、可实现高分辨率等优异性能,成为了柔性AMOLED“主动式矩阵”开关的首选技术。
在申请号为CN201320575160.X,名称为一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置中,液晶显示装置中有源层在长时间暴露于白光环境中或是短期受到高功率长波紫外线(UVA)照射后,会发生电性漂移的现象,导致薄膜晶体管的稳定性出现异常。
AMOLED显示技术核心难点在于OLED显示面板的使用寿命和IGZO所驱动的发光性能。而铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,缩写IGZO)的有源层十分容易受白光或者紫外线的影响。
发明内容
为此,需要提供一种显示面板及制作方法,解决薄膜晶体管的有源层受光线影响,其稳定性出现异常的问题。
为实现上述目的,本实施例提供了一种显示面板制作方法,包括如下步骤:
在基板上制作栅极;
制作第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖栅极;
制作有源层,所述有源层位于栅极的上方;
制作光阻隔保护层,所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物,所述光阻隔保护层覆盖所述有源层,所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线;
在光阻隔保护层上制作孔,光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层,光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点;
制作源极和漏极,所述源极和所述漏极同层设置,所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层;
制作显示功能层。
进一步地,在步骤“制作光阻隔保护层”后,在步骤“在光阻隔保护层上制作孔”前,还包括如下步骤:
在光阻隔保护层的上表面制作反射面,所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
进一步地,所述反射面为锯齿状。
进一步地,在步骤“在光阻隔保护层上制作孔,光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层,光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点”时,还包括如下步骤:
在光阻隔保护层上制作孔前,先在光阻隔保护层上制作一层第二绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的