[发明专利]一种显示面板及制作方法在审
申请号: | 202011015005.3 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112103327A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 骆丽兵 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上制作栅极;
制作第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖栅极;
制作有源层,所述有源层位于栅极的上方;
制作光阻隔保护层,所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物,所述光阻隔保护层覆盖所述有源层,所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线;
在光阻隔保护层上制作孔,光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层,光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点;
制作源极和漏极,所述源极和所述漏极同层设置,所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层;
制作显示功能层。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法,其特征在于,在步骤“制作光阻隔保护层”后,在步骤“在光阻隔保护层上制作孔”前,还包括如下步骤:
在光阻隔保护层的上表面制作反射面,所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板制作方法,其特征在于,所述反射面为锯齿状。
4.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法,其特征在于,在步骤“在光阻隔保护层上制作孔,光阻隔保护层上的孔的孔底为有源层,光阻隔保护层上的孔用于作为源极、漏极与有源层的连接点”时,还包括如下步骤:
在光阻隔保护层上制作孔前,先在光阻隔保护层上制作一层第二绝缘层;
然后蚀刻第二绝缘层形成孔,第二绝缘层上的孔贯穿光阻隔保护层,所述第二绝缘层上的孔连通所述连接点。
5.根据权利要求1所述的一种显示面板制作方法,其特征在于,所述制作显示功能层的具体步骤为:
制作钝化层,所述钝化层覆盖所述源极和所述漏极;
制作第一平坦层,并在第一平坦层上蚀刻出第二孔,第二孔贯穿所述钝化层,第二孔的孔底为源极或者漏极;
制作阳极,所述阳极通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极;
制作第二平坦层,并在第二平坦层上蚀刻出第一孔,第一孔的孔底为阳极;
在第一孔中制作像素发光层;
制作阴极,所述阴极连接所述第二平坦层和所述像素发光层。
6.一种显示面板,其特征在于,包括基板、薄膜晶体管和显示功能层;
所述薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源层、光阻隔保护层、源极和漏极;
所述基板上设置有所述栅极;
所述第一绝缘层覆盖栅极;
所述第一绝缘层上设置有所述有源层,所述有源层位于栅极的上方;
所述光阻隔保护层覆盖所述有源层,所述光阻隔保护层包含纳米金属氧化物,所述光阻隔保护层用于阻挡射入到有源层处的光线;
所述源极和所述漏极同层设置,所述源极和所述漏极分别通过光阻隔保护层上的孔连接所述有源层;
在薄膜晶体管上设置有所述显示功能层。
7.根据权利要求6所述的一种显示面板,其特征在于,所述光阻隔保护层的上表面设置有反射面,所述反射面用于反射射入到有源层处的光线。
8.根据权利要求7所述的一种显示面板,其特征在于,所述反射面为锯齿状。
9.根据权利要求6所述的一种显示面板,其特征在于,还包括第二绝缘层;
所述源极和所述漏极通过所述第二绝缘层设置在所述光阻隔保护层上,所述源极和所述漏极分别通过第二绝缘层上的孔连接所述有源层。
10.根据权利要求6所述的一种显示面板,其特征在于,所述显示功能层包括钝化层、第一平坦层、阳极、第二平坦层、像素发光层和阴极;
在薄膜晶体管上设置有钝化层;
在钝化层上设置有第一平坦层,第一平坦层上设置有第二孔,第二孔的孔底为薄膜晶体管的源极或者漏极;
在第一平坦层上设置有所述阳极,所述阳极通过所述第二孔连接所述薄膜晶体管的源极或者漏极;
所述第二平坦层设置在所述第一平坦层和所述阳极上,所述第一孔的孔底为所述阳极;
在所述第一孔中设置有所述像素发光层,所述像素发光层连接所述阳极;
在所述像素发光层和所述第二平坦层上设置有所述阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的