[发明专利]清洗机台以及清洗方法

说明书

本发明实施例提供一种清洗机台以及清洗方法，其中，清洗机台包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中，或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块，或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块；处理模块，用于抽取传送模块中的气体；本发明实施例提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造领域，特别涉及一种清洗机台以及清洗方法。

背景技术

目前在半导体接触结构的形成过程中，由于无法精确把控刻蚀的时间，往往会造成过刻蚀的问题，从而形成刻蚀缺陷；由于刻蚀缺陷的存在，极大地影响了形成的半导体接触结构的导电性。

相关技术中，填充形成的刻蚀缺陷需要通过不同的清洗工艺的结合运用，例如干法清洗工艺和湿法清洗工艺的结合运用，然而采用不同清洗工艺对半导体结构进行清洗时，切换清洗工艺的等待时间较长，无法保证填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

本发明通过设计一种特殊的机台，以减少干法清洗工艺与湿法清洗工艺结合运用中，不同清洗工艺之间的等待时间，从而提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

发明内容

本发明实施例提供一种清洗机台以及清洗方法，提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种清洗机台，包括：湿法清洗模块，用于对晶圆执行湿法清洗工艺；干法清洗模块，用于对晶圆执行干法清洗工艺；输送模块，用于将晶圆输入至湿法清洗模块或干法清洗模块中，或用于将湿法清洗模块或干法清洗模块中的晶圆输出；传送模块，用于将晶圆从湿法清洗模块传送至干法清洗模块，或用于将晶圆从干法清洗模块传送至湿法清洗模块；处理模块，用于抽取传送模块中的气体。

与相关技术相比，通过将干法清洗和湿法清洗集成到一个机台中，然后传送模块对需要进行干法清洗工艺或湿法清洗工艺的半导体结构进行快速转换，减少半导体结构在进行不同清洗工艺之间的等待时间，从而提高填充刻蚀缺陷形成的半导体结构的稳定性。

另外，清洗机台还包括：传送模块与干法清洗模块连接的第一通道，传送模块与湿法清洗模块连接的第二通道；传送模块包括：承载单元，用于承载从湿法清洗模块传送至干法清洗模块的晶圆，或用于承载从干法清洗模块传送至湿法清洗模块的晶圆；第一阻隔单元，用于打开或关闭第一通道，当承载单元需要与干法清洗模块进行晶圆传输，打开第一通道；第二阻隔单元，用于打开或关闭第二通道，当承载单元需要与干法清洗模块进行晶圆传输，打开第二通道；控制单元，用于打开或关闭第一阻隔单元和第二阻隔单元。

另外，传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，第一开口用于承载单元与干法清洗模块进行晶圆传输，第二开口用于承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输；第一阻隔单元包括设置在第一开口的第一挡板；第二阻隔单元包括设置在第二开口的第二挡板；控制单元连接第一挡板和第二挡板，用于控制第一挡板或第二挡板，以打开第一开口或第二开口。本发明实施例给出的一种传输模块的具体实现方法。

另外，传送模块包括具有第一开口和第二开口的容器，第一开口用于承载单元与干法清洗模块进行晶圆传输，第二开口用于承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输；第一阻隔单元包括通过铰链弹性连接在第一开口一侧的第一挡板；第二阻隔单元包括通过铰链弹性连接在第二开口一侧的第二挡板；控制单元连接承载单元，当承载单元与干法清洗模块进行晶圆传输，承载单元向第一开口移动以带动第一挡板打开，当承载单元与湿法清洗模块进行晶圆传输，承载单元向第二开口移动以带动第二挡板打开。本发明实施例给出的另一种传输模块的具体实现方法。