[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1半导体层，沿第1方向延伸；

第2半导体层，沿所述第1方向延伸，且沿与所述第1方向交叉的第2方向和所述第1半导体层相隔而积层；及

第1导电层，与所述第1半导体层及所述第2半导体层交叉，且沿所述第2方向延伸；

所述第1导电层具有与所述第1半导体层交叉的第1部分、及与所述第2半导体层交叉的第2部分，且

所述第1部分的所述第1方向的第1宽度比所述第2部分的所述第1方向的第2宽度短，

所述第1半导体层的所述第2方向的第1厚度比所述第2半导体层的所述第2方向的第2厚度厚。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第2导电层，在所述第1方向上与所述第1导电层相隔而设，与所述第1半导体层及所述第2半导体层交叉，且沿所述第2方向延伸；及

第3导电层，在与所述第1导电层之间、及与所述第2导电层之间介存有所述第1半导体层及所述第2半导体层，与所述第1半导体层及所述第2半导体层交叉，且沿所述第2方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第1组，具有多个半导体层，这些半导体层包含所述第1半导体层，沿所述第2方向积层，且沿所述第1方向延伸；及

第2组，具有多个半导体层，这些半导体层包含所述第2半导体层，与所述第1组相隔而沿所述第2方向积层，且沿所述第1方向延伸；

所述第1导电层与所述第1组内的所述多个半导体层、及所述第2组内的所述多个半导体层交叉，且

所述第1组内的所述多个半导体层具有所述第1厚度，所述第2组内的所述多个半导体层具有所述第2厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层的所述第1方向的宽度从所述第2方向的一侧向另一侧慢慢变长，且与所述第1组内的所述多个半导体层交叉的部分的宽度比与所述第2组内的所述多个半导体层交叉的部分的宽度短。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层的与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向的所述第1部分的第3宽度比所述第3方向的所述第2部分的第4宽度短。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第1绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第1半导体层之间；

第1电荷储存层，设置在所述第1导电层与所述第1绝缘层之间；及

第2绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第1电荷储存层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，还具备：

第3半导体层，设置在所述第1半导体层的与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向，沿所述第1方向延伸，且在与所述第1半导体层之间配置有所述第1导电层；

第3绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第3半导体层之间；

第2电荷储存层，设置在所述第1导电层与所述第3绝缘层之间；及

第4绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第2电荷储存层之间。

8.一种半导体存储装置，具备：

第1半导体层，沿第1方向延伸；

第2半导体层，沿所述第1方向延伸，且沿与所述第1方向交叉的第2方向和所述第1半导体层相隔而积层；

第1导电层，与所述第1半导体层及所述第2半导体层交叉，且沿所述第2方向延伸；及

第2导电层，在所述第1方向上与所述第1导电层相隔而设，与所述第1半导体层及所述第2半导体层交叉，且沿所述第2方向延伸；

位于与所述第1半导体层交叉的部分的所述第1导电层与所述第2导电层之间的第1距离比位于与所述第2半导体层交叉的部分的所述第1导电层与所述第2导电层之间的第2距离长，且

所述第1半导体层的所述第2方向的第1厚度比所述第2半导体层的所述第2方向的第2厚度厚。