[发明专利]组合结构、滤光器、图像传感器、相机和电子装置在审

专利信息
申请号: 202010903530.2 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN112447784A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 赵重根;金美静;金炯俊;金惠兰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/148;H04N5/225
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 组合 结构 滤光 图像传感器 相机 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种组合结构,包括:

单位单元的面内图案,

其中所述单位单元的每个单位单元包括

纳米结构,每个所述纳米结构具有比近红外波长小的尺寸,和

与所述纳米结构相邻的光吸收层,所述光吸收层包括配置为吸收近红外波长光谱的至少一部分中的光的近红外吸收材料,

其中所述纳米结构在所述单位单元中限定纳米结构阵列,以及

其中所述组合结构的在所述近红外波长光谱中的透射光谱的在50%透射率处的波长宽度比所述纳米结构阵列的在所述近红外波长光谱中的透射光谱的在50%透射率处的波长宽度宽。

2.根据权利要求1所述的组合结构,其中

所述纳米结构阵列的在所述近红外波长光谱中的所述透射光谱具有彼此分开的第一局部极小点和第二局部极小点以及在所述第一局部极小点和所述第二局部极小点之间的第一局部极大点,以及

在所述第一局部极小点或所述第二局部极小点处的透射率与在所述第一局部极大点处的透射率之间的差大于30%。

3.根据权利要求2所述的组合结构,其中

所述组合结构的在所述近红外波长光谱中的所述透射光谱具有彼此分开的第三局部极小点和第四局部极小点以及在所述第三局部极小点和所述第四局部极小点之间的第二局部极大点,以及

在所述第三局部极小点或所述第四局部极小点处的透射率与在所述第二局部极大点处的透射率之间的差小于在所述第一局部极小点或所述第二局部极小点处的透射率与在所述第一局部极大点处的透射率之间的差。

4.根据权利要求3所述的组合结构,其中

在所述第三局部极小点或所述第四局部极小点处的透射率与在所述第二局部极大点处的透射率之间的差小于或等于30%。

5.根据权利要求1所述的组合结构,其中

所述纳米结构阵列包括第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构的平行图案,并且

所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的间隙的大小不同于所述第二纳米结构和所述第三纳米结构之间的间隙的大小。

6.根据权利要求5所述的组合结构,其中

所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的所述间隙是所述第二纳米结构和所述第三纳米结构之间的所述间隙的1.05倍至5倍。

7.根据权利要求1所述的组合结构,其中

所述纳米结构阵列包括彼此相邻的第一纳米结构和第二纳米结构,以及

所述第一纳米结构的尺寸不同于所述第二纳米结构的尺寸。

8.根据权利要求7所述的组合结构,其中所述第一纳米结构的宽度是所述第二纳米结构的宽度的1.05倍至5倍。

9.根据权利要求7所述的组合结构,其中所述第一纳米结构的厚度是所述第二纳米结构的厚度的1.05倍至5倍。

10.根据权利要求1所述的组合结构,其中

所述单位单元包括彼此相邻的第一单位单元和第二单位单元,

所述第一单位单元包括第一纳米结构和第二纳米结构,

所述第二单位单元包括第三纳米结构和第四纳米结构,

所述第一纳米结构、所述第二纳米结构、所述第三纳米结构和所述第四纳米结构限定在一个方向上延伸的纳米结构的线形序列,

所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的间隙的大小不同于所述第二纳米结构和所述第三纳米结构之间的间隙的大小。

11.根据权利要求10所述的组合结构,其中所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间的所述间隙为

所述第二纳米结构和所述第三纳米结构之间的所述间隙的0.2倍至0.9倍,或者

所述第二纳米结构和所述第三纳米结构之间的所述间隙的1.05倍至5倍。

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