[发明专利]一种大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳及其制备方法

权利要求书

1.一种大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：包括盖板、外壳围框以及散热底板，其中

所述盖板设于外壳围框顶部，将所述外壳围框上部开口封闭；

所述外壳围框侧墙上开设有多个窗口，在所述窗口内装载有陶瓷件，所述陶瓷件位于外壳围框外侧的一端设有焊接区，所述焊接区连接有引线，所述陶瓷件位于外壳围框内侧的一端设有可供内部封装芯片和外部电路键合的键合区，所述焊接区与键合区电连接；

所述散热底板位于外壳围框底部，包括由上至下叠合连接的第一金属板、第二金属板以及第三金属板。

2.如权利要求1所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：所述盖板通过与外壳围框上端部的密封环焊接将外壳围框顶部密封。

3.如权利要求1所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：所述外壳围框内侧壁上设有多根支撑件，所述支撑件的个数不少于六个。

4.如权利要求1所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：所述散热底板上端面沿外壳围框外部两侧开设有沟槽，所述散热底板的端部开凿有用于固定封装外壳的螺纹孔。

5.如权利要求1所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：所述第一金属板与第三金属板由铜制成，所述第二金属板由钨铜合金制成。

6.如权利要求1所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳，其特征在于：所述焊接区与键合区为片状结构，附着在陶瓷件内部。

7.一种大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

在多片氧化铝生瓷片上用机械冲制的方法加工出通孔；

通过丝网印刷方式将厚度在5-30um的钨金属化膜层转移到氧化铝生瓷片上；

采用机械冲制或者激光切割的方法在部分氧化铝生瓷片两侧部分加工出空腔腔体；

将经过步骤3）加工的多个氧化铝生瓷片与部分由步骤2）得到的氧化铝生瓷片叠加在一起并压实，形成生瓷组件；用划片机将上述叠加后的生瓷组件从其上表面切成单个陶瓷生体，然后在陶瓷生体上下、左右端面进行金属化；最后经1600℃高温烧结24小时，得到陶瓷件；

根据设定的封装外壳外形和内部芯片安装尺寸以及陶瓷件的尺寸，由可伐材料采用线切割制作具有窗口和支撑件结构的外壳围框；

将第一金属板、第二金属板以及第三金属板依次叠放在一起，经加热、加压、轧制以及线切割形成散热底板；

将散热底板、外壳围框、陶瓷件以及引线分别焊接制得半成品封装外壳；

通过电镀的方法在半成品封装外壳表面沉积金属镀层制得成品封装外壳。

8.如权利要求7所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳的制备方法，其特征在于：所述步骤1）中氧化铝生瓷片的长宽尺寸为200mm×200mm，厚度为1.0mm。

9.如权利要求7所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳的制备方法，其特征在于：所述步骤5）中用溶剂清洗外壳围框，并在保护气氛中将外壳围框进行高温退火处理。

10.如权利要求7所述的大尺寸多芯片电路用大功率金属陶瓷封装外壳的制备方法，其特征在于：所述步骤6）中散热底板的热膨胀系数为5-8x10^-5/℃。