[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其中，具备：

多个第一导电层，在基板上沿第一方向层叠，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；

多个第二导电层，在所述基板上沿所述第一方向层叠，并沿所述第二方向延伸，在和所述第二方向交叉的第三方向上与所述多个第一导电层分离配置；

多个第三导电层，与所述第一导电层和所述第二导电层电连接，并在所述基板上沿所述第一方向层叠；

第一绝缘层以及第二绝缘层，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并以夹着所述第一导电层的方式沿所述第三方向排列；

第三绝缘层以及第四绝缘层，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并以夹着所述第二导电层的方式沿所述第三方向排列；

第一绝缘区域以及第二绝缘区域，沿所述第一方向延伸，并以夹着所述第三导电层的方式排列；

多个第一柱，在所述第一绝缘层中以排列间距为第一距离的方式沿所述第二方向排列，并沿所述第一方向延伸；以及

多个第二柱，在所述第二绝缘层中以排列间距为所述第一距离的方式沿所述第二方向排列，并沿所述第一方向延伸，

所述第二柱的排列相对于所述第一柱的排列，在所述第二方向上错开比所述第一距离的一半短的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第二距离是所述第一距离的1/4的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

还具备在所述第四绝缘层中以排列间距为所述第一距离的方式沿所述第二方向排列并沿所述第一方向延伸的多个第三柱，

所述多个第一柱与所述多个第三柱之间的最近的柱间的中心间的距离为所述第一距离的4.25倍。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域被配置在所述第一绝缘层的端部与所述第三绝缘层的端部之间，所述第二绝缘区域被配置在所述第二绝缘层的端部与所述第四绝缘层的端部之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域配置在与所述第一方向交叉且和所述第二方向以及第三方向不同的第四方向上，所述第二绝缘区域配置在所述第四方向上。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域与所述第一绝缘层所成的角、以及所述第二绝缘区域与所述第二绝缘层所成的角大于90度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域、所述第二绝缘区域分别包括长圆形状，所述第一绝缘区域的长轴方向相对于所述第一绝缘层倾斜配置，所述第二绝缘区域的长轴方向相对于所述第二绝缘层倾斜配置。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域、所述第二绝缘区域分别包括长圆形状，所述第一绝缘区域的短径方向相对于所述第一绝缘层倾斜配置，所述第二绝缘区域的短径方向相对于所述第二绝缘层倾斜配置。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一绝缘区域、所述第二绝缘区域分别包括长圆形状，所述第一绝缘区域、所述第二绝缘区域的长轴方向沿着所述第三方向配置。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一柱、所述第二柱具有半导体层，

所述半导体层沿所述第一方向延伸。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

还具备在所述第三绝缘层中以排列间距为所述第一距离的方式沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的多个第四柱、和设置在所述第一柱以及所述第四柱的上方的多条位线，

与所述第一柱以及所述第四柱分别电连接的所述位线具有同一属性。

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一导电层与所述第一柱交叉的部分作为存储单元晶体管发挥功能。