[发明专利]无源器件制备方法及无源器件

说明书

本发明适用于无源器件制备技术领域，提供了一种无源器件制备方法及无源器件，该方法包括：在半导体衬底上制备绝缘介质层；在绝缘介质层上制备氮化钽金属层；对氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；在无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。本发明基于氮化钽金属层，可以制备与其他电子元器件匹配良好、应用范围广的无源器件，同时可以实现薄膜电容的制备，有利于无源器件的小型化和集成化。

技术领域

本发明属于无源器件制备技术领域，尤其涉及一种无源器件制备方法及无源器件。

背景技术

随着电子系统向体积更小、速度更快、功能更多、性能更强的方向发展，电子元器件越来越朝着微型化、集成化、多功能化的方向发展。电子元器件中，有源器件已经实现高度集成化，而无源器件很长时间以来都是以分立元件的形式被使用，因此，电子系统的小型化和集成化主要依赖于无源器件的小型化和集成化。

目前无源器件的集成技术主要包括薄膜集成技术、低温共烧陶瓷技术、印制电路板集成技术、以及多芯片组件技术等，其中利用薄膜集成技术进行无源器件的集成，可以实现成本和性能的最优组合，是一种最具发展潜力的无源器件集成技术。然而现有薄膜集成技术中，存在制备的薄膜无源器件应用范围受限、匹配度不高且薄膜电容制备困难的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种无源器件制备方法及无源器件，以解决现有技术中制备的薄膜无源器件应用范围受限、匹配度不高且薄膜电容制备困难的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种无源器件制备方法，包括：

在半导体衬底上制备绝缘介质层；

在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层；

对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；

在所述无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。

可选的，所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品之前，还包括：

对所述氮化钽金属层进行氧化改性，获得氧化改性后的氮化钽金属层；

所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品，包括：

对所述氧化改性后的氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品。

可选的，所述对所述氮化钽金属层进行氧化改性，获得氧化改性后的氮化钽金属层，包括：

在预设温度下对所述氮化钽金属层氧化预设时间，获得氧化改性后的氮化钽金属层；其中，预设温度小于500℃，预设时间大于0.5h。

可选的，所述在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层之前，还包括：

在所述绝缘介质层上制备第一金属层；

在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层之后，还包括：

在所述氮化钽金属层上制备第二金属层。

可选的，在所述绝缘介质层上制备第一金属层之前，还包括：

在所述绝缘介质层上制备粘附金属层。

可选的，所述第一金属层和所述第二金属层的金属为金或铂；

所述粘附金属层的金属为钛、钽、铬、钨或钛钨合金。

可选的，所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀之前，还包括：

采用光刻技术，对所述第二金属层进行刻蚀，形成无源器件上电极结构；

所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀之后，还包括：