[发明专利]无源器件制备方法及无源器件

权利要求书

1.一种无源器件制备方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上制备绝缘介质层；

在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层；

对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；

在所述无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。

2.如权利要求1所述的无源器件制备方法，其特征在于，所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品之前，还包括：

对所述氮化钽金属层进行氧化改性，获得氧化改性后的氮化钽金属层；

所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品，包括：

对所述氧化改性后的氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品。

3.如权利要求2所述的无源器件制备方法，其特征在于，所述对所述氮化钽金属层进行氧化改性，获得氧化改性后的氮化钽金属层，包括：

在预设温度下对所述氮化钽金属层氧化预设时间，获得氧化改性后的氮化钽金属层；其中，预设温度小于500℃，预设时间大于0.5h。

4.如权利要求1至3任一项所述的无源器件制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层之前，还包括：

在所述绝缘介质层上制备第一金属层；

在所述绝缘介质层上制备氮化钽金属层之后，还包括：

在所述氮化钽金属层上制备第二金属层。

5.如权利要求4所述的无源器件制备方法，其特征在于，在所述绝缘介质层上制备第一金属层之前，还包括：

在所述绝缘介质层上制备粘附金属层。

6.如权利要求5所述的无源器件制备方法，其特征在于，

所述第一金属层和所述第二金属层的金属为金或铂；

所述粘附金属层的金属为钛、钽、铬、钨或钛钨合金。

7.如权利要求5所述的无源器件制备方法，其特征在于，所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀之前，还包括：

采用光刻技术，对所述第二金属层进行刻蚀，形成无源器件上电极结构；

所述对所述氮化钽金属层进行刻蚀之后，还包括：

采用光刻技术，对所述第一金属层进行刻蚀，形成无源器件下电极结构，获得无源器件样品。

8.如权利要求7所述的无源器件制备方法，其特征在于，所述在所述无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件，包括：

采用低压力化学气相沉积工艺或者等离子体增强化学气相沉积工艺在所述无源器件样品上制备钝化层；

通过光刻技术，在所述钝化层上形成所述无源器件上电极结构对应开孔和所述无源器件下电极结构对应开孔，获得无源器件。

9.如权利要求1所述的无源器件制备方法，其特征在于，

所述绝缘介质层的厚度大于100nm；

所述氮化钽金属层的厚度小于1μm；

所述钝化层的厚度大于100nm。

10.一种无源器件，其特征在于，包括通过权利要求1至9任一项所述的无源器件制备方法制备得到的无源器件。