[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

提供封装结构和封装结构的形成方法，此方法包含形成导电结构于承载基板之上以及设置半导体晶粒于承载基板之上。此方法也包含形成保护层以围绕导电结构与半导体晶粒。此方法也包含形成绝缘层于保护层之上。绝缘层具有开口暴露出导电结构的一部分。开口的宽度大于25微米。此外，此方法也包含形成导电层于绝缘层之上。导电层过量填充开口，且导电层具有大致平坦的顶面。导电层的一部分延伸横跨导电结构的侧壁。

技术领域

本公开实施例涉及一种封装结构及其形成方法，且特别涉及具有扇出(fan-out)部件的封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经经历了快速的增长。半导体制造工艺的持续进步已经导致具有更精细部件和/或更高整合度的半导体装置。功能密度(即，每单位芯片(chip)面积的互连装置的数量)已普遍增加，同时特征尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件)已减小。这种微缩过程通常可通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

芯片封装不仅为半导体装置提供免于受到环境污染的保护，而且还为封装于其中的半导体装置提供连接接口(connection interface)。已经开发出利用较小面积或较低高度的较小封装结构来封装半导体装置。

已经开发了新的封装技术以进一步改善半导体晶粒(die)的密度和功能。这些相对新颖的半导体晶粒封装技术面临了制造挑战。

发明内容

本公开实施例提供封装结构的形成方法，此方法包含形成导电结构于承载基板之上以及设置半导体晶粒于承载基板之上。此方法也包含形成保护层以围绕导电结构与半导体晶粒。此方法也包含形成绝缘层于保护层之上。绝缘层具有开口暴露出导电结构的一部分。开口的宽度大于25微米。此外，此方法也包含形成导电层于绝缘层之上。导电层过量填充开口，且导电层具有大致平坦的顶面。导电层的一部分延伸横跨导电结构的侧壁。

本公开实施例提供封装结构的形成方法，此方法包含设置保护层以围绕导电结构和半导体晶粒。此方法也包含形成第一绝缘层于保护层之上。第一绝缘层具有第一开口暴露出导电结构的一部分。此方法也包含使用由下而上沉积工艺，形成导电层于第一绝缘层之上，以过量填充第一开口。导电层的一部分延伸于开口之外，且延伸横跨导电结构的侧壁。此方法也包含形成第二绝缘层于导电层之上。第二绝缘层具有第二开口暴露出导电层的一部分。此方法也包含形成导电柱于导电层自第二开口暴露出来的部分之上。

本公开实施例提供封装结构，此封装结构包含彼此横向隔开的导电结构与半导体晶粒。此封装结构也包含围绕导电结构和半导体晶粒的保护层。此封装结构也包含位于保护层之上的绝缘层。此封装结构也包含位于绝缘层之上且电性连接至导电结构的导电层。导电层具有大致平坦的顶面。导电层埋入绝缘层中的部分具有大于约25微米的宽度。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)仅用于说明目的，并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A至图1I是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

图2A至图2I是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

图3是根据一些实施例显示封装结构的剖面示意图。

附图标记说明：

100：承载基板

102：粘着层

104：晶粒贴合膜

106A：半导体晶粒

106B：半导体晶粒

108：半导体基底