[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，包括：

形成一导电结构于一承载基板之上；

设置一半导体晶粒于该承载基板之上；

形成一保护层以围绕该导电结构与该半导体晶粒；

形成一绝缘层于该保护层之上，其中该绝缘层具有一开口暴露出该导电结构的一部分，且该开口的宽度大于25微米；以及

形成一导电层于该绝缘层之上，其中该导电层过量填充该开口，使得该导电层的一部分延伸横跨该导电结构的一侧壁，且该导电层具有大致平坦的一顶面。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中该导电层是使用一由下而上沉积工艺形成。

3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括：形成一导电柱于该导电层之上，其中该导电柱电性连接至该导电层。

4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括：在形成该导电结构之后且在设置该半导体晶粒之前，形成一重布线结构于该承载基板之上。

5.如权利要求4所述的封装结构的形成方法，还包括：

设置一第二半导体晶粒于该承载基板之上；以及

在形成该重布线结构之前，形成一第二保护层于该承载基板之上，以围绕该第二半导体晶粒，其中该重布线结构延伸横跨该第二半导体晶粒与该第二保护层之间的一界面。

6.一种封装结构的形成方法，包括：

设置一保护层以围绕一导电结构和一半导体晶粒；

形成一第一绝缘层于该保护层之上，其中该第一绝缘层具有一第一开口暴露出该导电结构的一部分；

使用一由下而上沉积工艺，形成一导电层于该第一绝缘层之上，以过量填充该第一开口，其中该导电层的一部分延伸于该开口之外，且延伸横跨该导电结构的一侧壁；

形成一第二绝缘层于该导电层之上，其中该第二绝缘层具有一第二开口暴露出该导电层的一部分；以及

形成一导电柱于该导电层自该第二开口暴露出来的该部分之上。

7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，还包括：在形成该导电层之前，形成一晶种层于该第一开口的侧壁和底面。

8.一种封装结构，包括：

一导电结构与一半导体晶粒，彼此横向隔开；

一保护层，围绕该导电结构和该半导体晶粒；

一绝缘层，位于该保护层之上；以及

一导电层，位于该绝缘层之上且电性连接至该导电结构，其中该导电层具有大致平坦的一顶面，且该导电层埋入该绝缘层中的一部分具有大于约25微米的宽度。

9.如权利要求8所述的封装结构，还包括：一导电柱，位于该导电层之上，其中该导电柱电性连接至该导电层。

10.如权利要求9所述的封装结构，其中该导电柱与该导电结构彼此未对准，且在该导电柱的垂直延伸方向上彼此未重叠。