[发明专利]芯片封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的形成方法，包含：

提供一布线基底，包括一基底、一第一焊垫、一第二焊垫和一绝缘层，其中该第一焊垫和该第二焊垫分别在该基底的一第一表面和一第二表面上方，该绝缘层在该第一表面上方并部分地覆盖该第一焊垫，并且该第一焊垫比该第二焊垫宽；

在该第一焊垫上方依序形成一含镍层和一含金层；

形成一导电保护层覆盖该含镍层上方的该含金层，其中该导电保护层、该含金层和该含镍层由不同的材料制成，并且该绝缘层的一第一顶表面与该第一焊垫的一第二顶表面之间的一第一距离大于该导电保护层的一第三顶表面与该第二顶表面之间的一第二距离；

经由一第一导电凸块和围绕该第一导电凸块的一第一助焊剂层将一芯片接合至该布线基底，其中该第一导电凸块在该第二焊垫和该芯片之间并连接该第二焊垫和该芯片；以及

在该导电保护层覆盖该含镍层的同时，移除该第一助焊剂层。

2.如权利要求1的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在将该芯片接合至该布线基底之前，回焊该导电保护层，其中该含金层溶解在该导电保护层中，并且在该导电保护层和该含镍层之间形成一金属间化合物层。

3.如权利要求1的芯片封装结构的形成方法，还包括：

在形成该含金层于该第一焊垫上方之前，在该含镍层上方形成一含钯层，其中该含金层形成在该含钯层上方。

4.如权利要求1的芯片封装结构的形成方法，其中该布线基底还包括在该第一表面上方的一第三焊垫，该含镍层、该含金层和该导电保护层更形成在该第三焊垫上方，该方法还包括：

在移除该第一助焊剂层之后，经由一第二导电凸块和围绕该第二导电凸块的一第二助焊剂层将一装置接合至该第三焊垫，其中该第二导电凸块由该第三焊垫上方的该导电保护层部分地形成；以及

移除该第二助焊剂层。

5.如权利要求1的芯片封装结构的形成方法，其中该第一助焊剂层的移除包括使用一除焊溶液以移除该第一助焊剂层，并且该导电保护层将该含镍层与该除焊溶液隔开。

6.一种芯片封装结构的形成方法，包含：

提供一布线基底，包括一基底、一第一焊垫、一第二焊垫和一绝缘层，其中该第一焊垫和该第二焊垫分别在该基底的一第一表面和一第二表面上方，并且该绝缘层在该第一表面和该第一焊垫上方且具有一开口部分地暴露出该第一焊垫；

在该开口中依序形成一含镍层和一含金层；

在该含金层上方形成一导电保护层，其中该导电保护层的一第一孔隙率小于该含金层的一第二孔隙率；

在该导电保护层形成于该含金层上方之后，经由一第一导电凸块将一芯片接合至该布线基底的该第二焊垫；

在将该芯片接合至该第二焊垫之后，在该导电保护层上方形成一导电结构；以及

使该导电结构和该导电保护层回焊，以将该导电结构和该导电保护层熔融并混合在一起，借此形成一第二导电凸块。

7.如权利要求6的芯片封装结构的形成方法，其中该导电保护层比该第一焊垫上方的该绝缘层薄。

8.一种芯片封装结构，包括：

一第一布线基底，包括一基底、一第一焊垫、一第二焊垫和一绝缘层，该第一焊垫和该第二焊垫分别位于该基底的一第一表面和一第二表面上方，该绝缘层在该第一表面上方且部分地覆盖该第一焊垫，并且该第一焊垫比该第二焊垫宽；

一含镍层，在该第一焊垫上方；

一导电保护层，在该含镍层上方，其中该导电保护层包括锡，并且该第一焊垫上方的该导电保护层和该绝缘层围绕一凹槽；

一芯片，在该基底的该第二表面上方；以及

一导电凸块，在该第二焊垫和该芯片之间。

9.如权利要求8的芯片封装结构，还包括：

一第二布线基底，其中该第一布线基底在该第二布线基底上方，该第二布线基底包括一第二基底和安装到该第二基底的一弹性接触结构，并且该弹性接触结构直接接触该导电保护层。

10.如权利要求9的芯片封装结构，其中该弹性接触结构穿入该导电保护层。