[发明专利]一种半导体器件封装结构及半导体器件封装方法

说明书

本发明公开一种半导体器件封装结构及半导体器件封装方法；该封装结构包括：半导体管芯，在其第一端上设有正面电极，在其第二端上设有背面电极，第一端与第二端相对；石墨烯结合膜；封装容器，其包括连接板和侧壁板；侧壁板由连接板延伸并弯折，以与连接板围成封装空间；侧壁板包括外引端；半导体管芯设于封装空间内，半导体管芯的第二端、石墨烯结合膜和连接板依次结合；背面电极依次通过石墨烯结合膜、连接板与外引端电连接；该封装方法中，通过石墨烯结合膜将半导体管芯与封装容器连接。本发明能够更加精准地控制石墨烯结合膜的厚度，且可克服焊角过高导致的问题，封装结构的可靠性高，封装效率高。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体器件封装结构及半 导体器件封装方法。

背景技术

目前，为了能够提高半导体器件的散热性能，采用杯形的封装容器对半导 体管芯进行封装以形成封装结构，半导体管芯的背面通过导电结合材料(如导 电银胶)与封装容器进行电连接，半导体管芯背面的背面电极通过封装容器外 引，此种封装结构的散热性能良好；此种封装结构在封装制程中，需要将形成 于半导体管芯与封装容器之间的导电结合层的厚度控制在合适的范围内，以保 证电性连接的可靠性。

但是，在现有的封装制程中，导电结合材料的用量不好控制，导电结合层 的厚度不容易控制，并且容易在半导体管芯的管芯侧壁上形成焊角(由导电结 合材料固化形成)；现有的封装结构中，位于管芯侧壁上的焊角的高度常常过 大，影响封装结构的可靠性。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于：提供一种半导体器件封装结构，其能够更 加精准地控制石墨烯结合膜的厚度，且可克服焊角过高导致的问题，封装结构 的可靠性高。

本发明实施例的另一个目的在于：提供一种半导体器件封装方法，其能够 更加精准地控制石墨烯结合膜的厚度，且可克服焊角过高导致的问题，封装效 率高，封装结构的可靠性高。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体器件封装结构，包括：

半导体管芯，在其第一端上设有正面电极，在其第二端上设有背面电极， 所述第一端与所述第二端相对；

石墨烯结合膜；

封装容器，其包括连接板和侧壁板；所述侧壁板由所述连接板延伸并弯折， 以与所述连接板围成封装空间；所述半导体管芯设于所述封装空间内，所述半 导体管芯的第二端、所述石墨烯结合膜和所述连接板依次结合；所述侧壁板包 括外引端，所述背面电极通过所述石墨烯结合膜、所述连接板与外引端电连接。

作为优选，所述封装容器为金属容器。

作为优选，所述石墨烯结合膜的一端与所述半导体管芯的第二端键合或粘 合，所述石墨烯结合膜的另一端与所述连接板键合或粘合。

作为优选，所述石墨烯结合膜包括膜本体，还包括离散地分布于所述膜本 体内部的银颗粒。

作为优选，所述石墨烯结合膜的厚度与所述半导体管芯的厚度的比例为0.1 至0.4。

作为优选，所述正面电极包括源极和栅极，所述背面电极包括漏极。

作为优选，还包括基板；所述外引端、所述正面电极分别通过导电焊材层 焊接于所述基板。

一种半导体器件封装方法，包括如下步骤：

S10：提供半导体管芯，半导体管芯的第一端上设有正面电极，半导体管芯 的第二端上设有背面电极，所述第一端与所述第二端相对；

S20：在半导体管芯的第二端上附着石墨烯结合膜，以使所述半导体管芯的 第二端与所述石墨烯结合膜结合，以使所述背面电极与所述石墨烯结合膜电连 接，从而形成第一结合结构；