[发明专利]FINFET接触及其形成方法

说明书

本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。

技术领域

本公开一般地涉及FINFET接触及其形成方法。

背景技术

在晶体管制造技术的最新发展中，金属被用于形成接触插塞(plug)和金属栅极。接触插塞用于连接到晶体管的源极和漏极区域以及栅极。源极/漏极接触插塞通常连接到源极/漏极硅化物区域，该源极/漏极硅化物区域通过沉积金属层，并然后执行退火以使金属层与源极/漏极区域中的硅进行反应而形成。栅极接触插塞用于连接到金属栅极。

金属栅极的形成可以包括形成虚设栅极堆叠、去除虚设栅极堆叠以形成开口、将金属材料填充到开口中、以及执行平坦化以去除多余的金属材料以形成金属栅极。然后凹陷金属栅极以形成凹槽，并且将电介质硬掩模填充到凹槽中。在形成栅极接触插塞时，去除硬掩模，使得栅极接触插塞可以接触金属栅极。

源极/漏极接触插塞还被形成为电耦合至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的形成包括蚀刻层间电介质(ILD)以形成接触开口，以及在接触开口中形成源极/漏极硅化物区域和接触插塞。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成半导体鳍；在所述半导体鳍上方形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠，所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠被层间电介质(ILD)围绕；在所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠上形成第一电介质材料，其中，所述第一电介质材料的顶表面高出所述衬底第一高度；执行蚀刻工艺以在邻近所述第一栅极堆叠的所述ILD中形成第一开口，并且在邻近所述第二栅极堆叠的所述ILD中形成第二开口，其中，在所述蚀刻工艺之后，所述第一电介质材料的位于所述第一栅极堆叠上的顶表面高出所述衬底第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；在所述第一开口中形成第一导电材料以形成第一接触插塞，并且在所述第二开口中形成所述第一导电材料以形成第二接触插塞；在所述第一接触插塞上方和所述第二接触插塞上方形成第二电介质材料；以及对所述第二电介质材料执行平坦化工艺，其中，在所述平坦化工艺之后，所述第二接触插塞的所述第一导电材料被暴露，并且所述第一接触插塞的所述第一导电材料被所述第二电介质材料覆盖。

根据本公开的另一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍上方形成第一栅极堆叠，并且在第二鳍上方形成第二栅极堆叠；在所述第一栅极堆叠上方和所述第二栅极堆叠上方沉积第一电介质材料；在邻近所述第一栅极堆叠的所述第一电介质材料中形成第一开口，并且在邻近所述第二栅极堆叠的所述第一电介质材料中形成第二开口；蚀刻位于所述第一栅极堆叠上方的所述第一电介质材料，其中，所述蚀刻在所述第一电介质材料中形成具有第一深度的凹槽；以及在所述第一开口中形成第一接触，并且在所述第二开口中形成第二接触，包括：在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料，其中，所述导电材料在所述第一开口上方具有第一高度，所述第一高度小于所述第一深度；在所述第一开口中的所述导电材料上方以及所述第二开口中的所述导电材料上方沉积第二电介质材料；以及使用平坦化工艺，去除位于所述第二开口中的所述导电材料上方的所述第二电介质材料。