[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010800442.X | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113451474B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 苟先华;张涛;张彬彬;林帅;苏财钰 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
芯片主体；
将所述芯片主体至少部分包覆的阻挡层；
以及将所述阻挡层包覆的第一钝化层，所述第一钝化层中包括能与外部进入的金属离子结合的氯离子，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中的气体进入所述芯片主体。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括透光基底，所述芯片主体设置于所述透光基底之上，所述阻挡层将所述芯片主体位于所述透光基底之上的区域全部覆盖。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为800埃至3000埃，所述阻挡层的厚度为2000埃-5000埃。
4.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述芯片主体包括芯片外延层和设置于所述芯片外延层上的电极，所述LED芯片还包括：与所述电极电连接的电极垫，所述电极垫裸露于所述阻挡层和第一钝化层。
5.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层和阻挡层为二氧化硅薄膜层。
6.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述金属离子包括钠离子、铁离子、锂离子中的至少一种。
7.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：
生成芯片主体；
形成将所述芯片主体至少部分包覆的阻挡层；
形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层，所述第一钝化层中包括能与外部进入的金属离子结合的氯离子，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中气体进入所述芯片主体。
8.如权利要求7所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述芯片主体包括芯片外延层和设置于所述芯片外延层上的电极，所述形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层之后，还包括：
将所述电极上的所述阻挡层和第一钝化层去除；
在所述电极上形成电极垫。
9.如权利要求7所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中的酸性气体进入所述芯片主体。
10.如权利要求7-9任一项所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一钝化层为二氧化硅薄膜层，所述形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层包括：
利用氯化硅气体和氧气作为反应前驱气体，通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述阻挡层上形成第一钝化层。
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