[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

存储单元阵列，设置在与衬底交叉的第1方向，具有多个存储单元；

第1周边电路，设置在所述衬底与所述存储单元阵列之间；

第2周边电路，设置在所述衬底与所述存储单元阵列之间，且与所述第1周边电路隔离地设置在与所述第1方向交叉的第2方向；及

感测放大器，设置在所述衬底与所述存储单元阵列之间、且所述第1周边电路与所述第2周边电路之间；

所述第2周边电路的所述第2方向的长度比所述感测放大器的所述第2方向的长度的一半短。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述感测放大器包含检测所述存储单元所存储的数据的电路。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1周边电路及所述第2周边电路包含电源电路。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1周边电路包含输出第1电压的第1升压电路，所述第2周边电路包含输出与所述第1电压不同的第2电压的第2升压电路。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第1导电层，所述第1导电层在所述第1周边电路及所述第2周边电路与所述存储单元阵列之间，呈沿着所述衬底面的平板状设置，且与所述存储单元电连接，

所述第2周边电路配置在所述第1导电层的端部附近的所述第1方向。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第1导电层，所述第1导电层设置在所述存储单元阵列的与所述衬底相反之侧的所述第1方向，在所述第2方向延伸，且与所述存储单元电连接，

所述第2周边电路配置在所述第1导电层的端部附近的所述第1方向。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

输入输出电路，从所述第1方向观察，以不与所述存储单元阵列重叠的方式设置在所述衬底的所述第2方向的一端，在与所述存储单元之间输入输出数据；及

定序器，设置在所述衬底与所述存储单元阵列之间，控制所述感测放大器、第1周边电路、及第2周边电路；

所述定序器从所述第1方向观察，与所述输入输出电路分开，与所述存储单元阵列重叠。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，还具备电容器，所述电容器设置在所述衬底与所述存储单元阵列之间，电连接在所述输入输出电路中的电源的配线，

所述电容器从所述第1方向观察，与所述存储单元阵列重叠。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备第3周边电路，所述第3周边电路从所述第1方向观察，在所述衬底的所述第2方向的一端，不与所述存储单元阵列重叠地在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸，

在所述第3周边电路的所述第3方向的中央具有在与所述存储单元之间输入输出数据的输入输出电路，

在比所述第3周边电路的所述第3方向的中央更外侧的位置具有电源电路。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

多个导电层，积层在所述衬底的所述第1方向；

柱，在所述第1方向贯通所述导电层，具有半导体层；

所述导电层与所述柱交叉的部分作为所述存储单元发挥功能。