[发明专利]一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置

权利要求书

1.一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法，其特征在于，包括步骤：

PLC控制模块获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置，所述第一生长温度值利用红外测温仪采集，所述第一生长阶段位置利用编码器采集；

所述PLC控制模块基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置，所述第一生长阶段位置与所述第二生长阶段位置均为耔晶载物盘的位置数值；

所述PLC控制模块控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置竖直向下移动，使得所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置向所述第二生长阶段位置移动，以保证位于所述耔晶载物盘上的金刚石表面位于基准平面，同时获取编码器检测的位置数值，当判断所述位置数值与所述第二生长阶段位置相等时，停止所述耔晶载物盘的移动。

2.如权利要求1所述的基于PLC的金刚石生长位置控制方法，其特征在于，获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置之前，包括：

获取金刚石耔晶厚度、金刚石的生长初始位置以及预设的生长阶段位置与生长温度信息配方表；

根据所述金刚石耔晶厚度控制所述耔晶载物盘移动至所述生长初始位置。

3.如权利要求2所述的基于PLC的金刚石生长位置控制方法，其特征在于，根据所述金刚石耔晶厚度控制所述耔晶载物盘移动至所述生长初始位置，包括：

根据所述金刚石耔晶厚度计算所述耔晶载物盘的目标移动距离；

控制所述耔晶载物盘移动所述目标移动距离，直至所述耔晶载物盘移动至所述生长初始位置。

4.如权利要求1所述的基于PLC的金刚石生长位置控制方法，其特征在于，基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置，包括：

将所述第一生长温度值与所述预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表中的标准生长温度进行比较；

当所述第一生长温度值与所述标准生长温度相等时，从所述预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表中获取所述标准生长温度对应的标准生长阶段位置，得到所述第二生长阶段位置；当所述第一生长温度值与所述标准生长温度不相等时，所述第一生长阶段位置与所述第二生长阶段位置相同。

5.一种基于PLC的金刚石生长位置控制装置，应用于如权利要求1～4任一项所述的金刚石生长位置控制方法，其特征在于，包括：

生长位置参数获取模块，用于获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；

耔晶载物盘位置确定模块，与所述生长位置参数获取模块连接，用于基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置，所述第一生长阶段位置与所述第二生长阶段位置均为耔晶载物盘的位置数值；

控制移动模块，与所述耔晶载物盘位置确定模块连接，用于控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置竖直向下移动，使得所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置向所述第二生长阶段位置，以保证位于所述耔晶载物盘上的金刚石表面位于基准平面，同时获取编码器检测的位置数值，当判断所述位置数值与所述第二生长阶段位置相等时，停止所述耔晶载物盘的移动。

6.如权利要求5所述的基于PLC的金刚石生长位置控制装置，其特征在于，还包括：

生长信息获取模块，用于获取金刚石耔晶厚度、金刚石的生长初始位置以及预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表；

初始位置定位模块，用于根据所述金刚石耔晶厚度控制所述耔晶载物盘移动至所述生长初始位置。

7.如权利要求5所述的基于PLC的金刚石生长位置控制装置，其特征在于，所述耔晶载物盘位置确定模块包括：

比较模块，用于将所述第一生长温度值与所述预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表中的标准生长温度进行比较；

生长阶段位置获取模块，用于当所述第一生长温度值与所述标准生长温度相等时，从所述预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表中获取所述标准生长温度对应的标准生长阶段位置，得到所述第二生长阶段位置；当所述第一生长温度值与所述生长温度不相等时，所述第一生长阶段位置与所述第二生长阶段位置相同。