[发明专利]形成用于半导体的电容器结构的方法、电容器和电子设备

说明书

本发明涉及一种形成用于半导体的电容器结构的方法、电容器和电子设备，包括如下步骤：形成多个筒形存储电极；在每个筒形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体，其中，第一支撑体的上表面与所述筒形存储电极的顶部齐平，多个第一支撑体形成第一支撑层；以所述第一支撑体为掩膜，在第一支撑层之下形成支撑筒形存储电极的其他支撑层。能够简单的形成网状或格状等的交叉形状的支撑层，降低工艺成本和生产时间。使电容器即便具有非常高的高宽比，也不会倾倒，能够根本性地解决电容器倾倒的问题。

技术领域

本申请涉及半导体存储器件，具体涉及一种形成用于半导体的电容器的方法、电容器和电子设备。

背景技术

随着半导体器件变得更加高度集成，单位单元在半导体衬底上的水平面积会逐渐减小。即使单位单元在半导体衬底上的水平面积逐渐减小，但是为了在半导体器件中存储电荷，需要维持电容器的足够高的电容。但是为了保持电容器的电容，下电极的高度需要增加，用来扩大下电极与电介质层之间的接触面积。然而，下电极的增大的高度会引起下电极倒塌，原因在于下电极的高宽比(Aspect Ratio)过高。此外，下电极的高宽比会引起下电极的中部或上部的弯曲，从而相邻的下电极会彼此接触。因此，需要使电容器在具有较大的电容量的同时还具有不易倒塌的特性。

现有的方式是对电容器进行支撑，然而形成支撑层通常使用氟化氩浸没曝光(ArFImmersion Photo)工艺，但此工艺导致生产成本上升以及生产时间增加。

发明内容

针对上述存在的问题，本申请提供了一种形成用于半导体的电容器结构，包括如下步骤：形成多个筒形存储电极；在每个筒形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体，其中，第一支撑体的上表面与所述筒形存储电极的顶部齐平，多个第一支撑体形成第一支撑层；以所述第一支撑体为掩膜，在第一支撑层之下形成支撑筒形存储电极的其他支撑层。

针对上述存在的问题，本申请还提供了一种用于半导体的电容器结构，包括：多个筒形存储电极；用于支撑筒形存储电极的多个支撑层，其中，一个支撑层的上表面与所述筒形存储电极的顶部齐平。

针对上述存在的问题，本申请还提供了一种电子设备，包括所述的电容器结构。

本申请的优点在于：通过以侧墙作为掩膜，刻蚀去除其他模制层，从而避免光刻，能够简单的形成网状或格状等的交叉形状的支撑层，降低工艺成本和生产时间。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了用于半导体的电容器结构的示意图；

图2A示出了用于半导体的电容器结构的俯视示意图；

图2B示出了用于半导体的电容器结构的支撑体的俯视示意图；

图3示出了形成用于半导体的电容器结构的步骤示意图；

图4示出了形成多个槽孔之前的半导体结构示意图；

图5A示出了在线A1A2为截面的半导体结构上形成多个槽孔的示意图；

图5B示出了在线B1B2为截面的半导体结构上形成多个槽孔的示意图；

图6A示出了在线A1A2为截面的半导体结构上形成存储电极和保护层的示意图；

图6B示出了在线B1B2为截面的半导体结构上形成存储电极和保护层的示意图；