[发明专利]形成用于半导体的电容器结构的方法、电容器和电子设备

权利要求书

1.一种形成用于半导体的电容器结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成多个筒形存储电极；

在每个筒形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体，其中，第一支撑体的上表面与所述筒形存储电极的顶部齐平，多个第一支撑体形成第一支撑层；

以所述第一支撑体为掩膜，在第一支撑层之下形成支撑筒形存储电极的其他支撑层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成筒形存储电极的步骤进一步包括：

在基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层和牺牲层；

使用光刻胶的曝光和刻蚀技术将所述牺牲层、第二模制层、第一隔离层、第一模制层和阻挡层，形成多个槽孔；

在每个槽孔内依次沉积存储电极和保护层，形成多个筒形存储电极，其中存储电极的顶部与所述牺牲层齐平。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在每个筒形存储电极的顶部形成侧墙形状的第一支撑体的步骤进一步包括：

对牺牲层进行刻蚀，暴露所述筒形存储电极的部分外壁和所述第二模制层；

沉积第二隔离层，覆盖所述筒形存储电极和所述第二模制层；

刻蚀第二隔离层，使第二隔离层在每个所述筒形存储电极顶部外壁形成侧墙形状的环形第一支撑体，相邻的筒形存储电极的第一支撑体形成网状或格状的第一支撑层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中以所述第一支撑体为掩膜，形成支撑筒形存储电极的其他支撑层的步骤进一步包括：

以所述第一支撑体为掩膜，利用刻蚀工艺在第一支撑层下形成第二支撑层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中以所述第一支撑体为掩膜，利用刻蚀工艺在第一支撑层下形成第二支撑层的步骤进一步包括：

以所述第一支撑体为掩膜，刻蚀第二模制层、第一隔离层和第一模制层；

刻蚀后的第一隔离层形成支撑筒形存储电极的环形第二支撑体，多个第二支撑体形成网状或格状的第二支撑层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中刻蚀第二模制层、第一隔离层和第一模制层的步骤进一步包括：

去除第二模制层；

依次刻蚀第一隔离层和第一模制层，去除第一模制层。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述对牺牲层进行刻蚀包括各向异性刻蚀。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中在刻蚀第一模制层后，还包括如下步骤：

在筒形存储电极内外形成介电质膜和上电极，其中筒形存储电极为下电极。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中牺牲层的材料，进一步地为二氧化硅和/或氮化硅。

10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中牺牲层的厚度，进一步地为大于等于1纳米至小于等于500纳米。

11.一种用于半导体的电容器结构，其特征在于，包括：

多个筒形存储电极；

用于支撑筒形存储电极的多个支撑层，其中，

一个支撑层的上表面与所述筒形存储电极的顶部齐平。

12.如权利要求11所述的电容器结构，其特征在于，其中所述筒形存储电极的底部嵌入阻挡层。

13.如权利要求11所述的电容器结构，其特征在于，其中位于所述筒形存储电极顶部的支撑层为侧墙形状。

14.如权利要求11所述的电容器结构，其特征在于，其中各所述筒形存储电极的外壁在筒形多个轴向位置处被多个环形支撑体包裹，位于同一轴向位置平面的多个支撑体形成一个网状或格状的支撑层。