[发明专利]半导体器件和半导体系统

说明书

本申请公开了一种半导体器件和半导体系统。半导体器件包括核心电路和修复电路。核心电路包括第一存储区域和第二存储区域以及修复区域，其中每个区域具有由第一内部地址、第二内部地址和修复地址选择的列。核心电路通过由第一内部地址、第二内部地址和修复地址选择的列来接收或输出数据。修复电路通过改变地址中所包括的第一组地址和第二组地址的逻辑电平来产生第一内部地址和第二内部地址，被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生修复地址，以及被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生用于改变数据的输入/输出(I/O)路径的选择信号，以便修复列中的故障列。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月26日提交的申请号为10-2020-0023719的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及对具有有缺陷单元的列进行修复的半导体器件以及具有该半导体器件的半导体系统。

背景技术

对增大半导体器件中的集成密度的尝试通常导致在半导体器件的制造期间故障存储单元的增加。这可能导致半导体器件的制造良率降低。即使每个半导体器件具有单个有缺陷存储单元，也不能将半导体器件提供给客户。

许多努力已经集中在提高高度集成的半导体器件的制造良率上。例如，利用使用熔丝的修复技术已被广泛用于提高高度集成的半导体器件的制造良率。

根据利用使用熔丝的修复技术，通过使用熔丝来储存有缺陷存储单元的地址。在这种情况下，如果执行针对有缺陷存储单元的列操作，则可以用与正常存储单元相对应的冗余存储单元来替换有缺陷存储单元。

发明内容

根据一个实施例，一种半导体器件包括核心电路和修复电路。核心电路被配置为包括第一存储区域和第二存储区域以及修复区域，其中每个区域具有由第一内部地址、第二内部地址和修复地址选择的列。核心电路被配置为通过由第一内部地址、第二内部地址和修复地址选择的列来接收或输出数据。修复电路被配置为通过改变地址中所包括的第一组地址和第二组地址的逻辑电平来产生第一内部地址和第二内部地址，被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生修复地址，以及被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生用于更改数据的输入/输出(I/O)路径的选择信号，以便修复列中的故障列。

根据另一实施例，一种半导体器件包括核心电路和修复电路。核心电路被配置为基于第一内部地址、第二内部地址和修复地址而用第二存储区域和修复区域中的任意一个来替换具有故障列的第一存储区域，以接收或输出数据。修复电路被配置为通过改变地址中所包括的第一组地址和第二组地址的逻辑电平来产生第一内部地址和第二内部地址，被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生修复地址，以及被配置为从第一故障地址和第二故障地址产生用于改变数据的输入/输出(I/O)路径选择信号，以便修复故障列。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的半导体系统的配置的框图。

图2是示出包括在图1所示的半导体系统中的半导体器件的配置的框图。

图3是示出包括在图2所示的半导体器件中的核心电路的配置的框图。

图4是示出包括在图3所示的核心电路中的数据处理电路的配置的电路图。

图5是示出包括在图2所示的半导体器件中的修复电路的配置的框图。

图6是示出包括在图5所示的修复电路中的正常熔丝电路的配置的框图。

图7示出了包括在图6所示的正常熔丝电路中的第一正常熔丝电路的配置。

图8至图12示出了根据本公开的实施例的半导体系统的修复操作。

图13是示出采用图1至图12所示的半导体系统的电子系统的配置的框图。

具体实施方式