[发明专利]CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法

权利要求书

1.一种CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供带有接触隔离层的CIS器件；所述CIS器件的接触隔离层包括由下至上依次覆盖在有源区上的硅化物阻挡层的第一层、硅化物阻挡层的第二层、刻蚀停止层和层间绝缘层；

在所述CIS器件的接触隔离层上，通过光刻工艺，对准CIS器件的源/漏区，定义出接触孔图案；

根据所述接触孔图案，刻蚀所述层间绝缘层，将所述接触孔图案转移到所述层间绝缘层上；

根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀所述刻蚀停止层和硅化物阻挡层的第二层，使得第一刻蚀停止面位于所述硅化物阻挡层的第一层中；

根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀所述硅化物阻挡层的第一层，使得第二刻蚀停止面位于所述CIS器件的侧墙结构中。

2.如权利要求1所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述CIS器件的源/漏区，位于所述CIS器件相邻的两个栅极结构之间；

所述栅极结构包括栅多晶硅结构和位于所述栅多晶硅两侧的侧墙结构。

3.如权利要求1所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述硅化物阻挡层的第一层为氧化硅层，所述硅化物阻挡层的第二层为氮化硅层。

4.如权利要求3所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。

5.如权利要求4所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀所述刻蚀停止层和硅化物阻挡层的第二层，使得第一刻蚀停止面位于所述硅化物阻挡层的第一层中的步骤，包括：

采用氮化硅与氧化硅之间的刻蚀选择比在6：1至11：1之间，根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀材料为氮化硅的所述刻蚀停止层和硅化物阻挡层的第二层，使得第一刻蚀停止面位于所述硅化物阻挡层的第一层中。

6.如权利要求4所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀所述硅化物阻挡层的第一层，使得第二刻蚀停止面位于所述CIS器件的侧墙结构中的步骤，包括：

采用氧化硅和氮化硅之间的刻蚀选择比在6：1至11：1之间，根据所述层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀材料为氧化硅的所述硅化物阻挡层的第一层，使得第二刻蚀停止面位于所述CIS器件的侧墙结构中。

7.如权利要求6所述的CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料包括氮化硅。