[发明专利]静电吸盘及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种静电吸盘，所述静电吸盘包括一电介质层，所述电介质层中设置有正电极和负电极，其特征在于，所述静电吸盘还包括供电系统，所述供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，

所述基本电压源，连接于所述正电极和所述负电极之间，用于供应所述正电极和所述负电极各自需要的电荷；

所述自偏压传感器，用于对自偏压进行检测，所述自偏压为所述静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；

所述基本电压控制器，用于根据所述自偏压的值对所述基本电压源的输出电压进行控制，以使所述自偏压与所述静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基本电压控制器，用于当所述自偏压的值经过震荡阶段且开始降低的时刻到达之前，控制所述基本电压源供应到所述正电极上的电压与所述负电极上的电压相同，以及，还用于当所述自偏压的值经过震荡阶段且开始降低的时刻到达之后，控制所述基本电压源供应到所述正电极上的电压为正常工作电压。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述基本电压控制器为可编程控制芯片，用于直接接收所述自偏压传感器检测到的自偏压，对所述基本电压源进行控制。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述供电系统，还包括计算机，所述计算机用于接收所述自偏压传感器检测到的自偏压，得到自偏压的变化曲线，并根据所述自偏压的变化曲线下发指令到所述基本电压控制器，以控制所述基本电压源。

5.根据权利要求1-4任一项所述的静电吸盘，其特征在于，所述供电系统还包括：补偿电压源和补偿电压控制器，其中，

所述补偿电压源，用于提供所述静电吸盘需要的偏置补偿电压，以对所述自偏压进行补偿；

所述补偿电压控制器，用于根据所述自偏压，控制所述补偿电压源输出偏置补偿电压。

6.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，所述补偿电压源的负端接地，所述补偿电压源的正端分别连接至所述正电极和所述负电极。

7.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，所述补偿电压控制器直接接收所述自偏压传感器检测到的自偏压，对所述补偿电压源进行控制，或者，根据所述计算机下发的指令对所述补偿电压源进行控制。

8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

反应腔室；

射频源，用于在所述反应腔室内形成等离子体；

如权利要求1-7任一项所述的静电吸盘，所述静电吸盘位于所述反应腔室内，用于固定进行工艺处理的晶圆。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备为干法刻蚀设备。