[发明专利]一种半导体工艺设备有效

专利信息
申请号: 202010680474.0 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN111785674B 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: 茅兴飞;李岩;黄海涛 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;姜春咸
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 工艺设备
【说明书】:

发明提供一种半导体工艺设备,包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元,管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部,管路组件至少包括第一分管路和第二分管路,第一分管路的一端与第一冷却部连接,另一端连接静电卡盘;第二分管路的一端与第二冷却部连接,另一端连接静电卡盘;管路组件用于在未接收到控制信号时,使第一冷却部经第一分管路与静电卡盘连通,并使第二冷却部与静电卡盘断开;管路组件还用于在接收到控制信号时,使第二冷却部经第二分管路与静电卡盘连通,并使第一冷却部与静电卡盘断开。本发明提供的半导体工艺设备安全性高且温控能力强。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域,具体地,涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

在半导体工艺设备中,静电卡盘(ESC)通常用于晶圆(wafer)的吸附固定和温度的精确控制,在不同工艺步骤中,需要将晶圆的温度控制在不同范围内。现有的静电卡盘通常通过管路与单一冷却源(chiller)连接,在同一晶圆需要进行的不同工艺步骤之间的温度差较高时,冷却源通常与较低的温度需求匹配,而静电卡盘需要在需要更高温度的工艺步骤中对晶圆进行大功率加热,对静电卡盘的温控能力以及设备硬件技术的要求较高。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体工艺设备,该半导体工艺设备的安全性高且温控能力强。

为实现上述目的,本发明提供一种半导体工艺设备,所述半导体工艺设备包括管路组件、静电卡盘和工艺腔室,所述静电卡盘设置在所述工艺腔室中,所述管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至所述静电卡盘中,所述冷却源位于所述工艺腔室外部;所述半导体工艺设备还包括用于向所述管路组件发送控制信号的控制单元;其中,

所述管路组件设置于冷却源与静电卡盘之间,所述冷却源包括第一冷却部和第二冷却部,所述管路组件至少包括第一分管路和第二分管路,所述第一分管路的一端与所述第一冷却部连接,另一端连接所述静电卡盘;所述第二分管路的一端与所述第二冷却部连接,另一端连接所述静电卡盘;

所述管路组件用于在未接收到所述控制信号时,使所述第一冷却部处于经所述第一分管路与所述静电卡盘连通的状态,同时,使所述第二冷却部与所述静电卡盘处于断开状态;

所述管路组件还用于在接收到所述控制信号时,使所述第二冷却部处于经所述第二分管路与所述静电卡盘连通的状态,同时,使所述第一冷却部与所述静电卡盘处于断开状态。

优选地,所述第一分管路集约设置于第一阀块中,所述第一阀块位于所述第一冷却部与所述静电卡盘之间,且分别与所述第一冷却部和所述静电卡盘连接;

所述第二分管路集约设置于第二阀块中,所述第二阀块位于所述第二冷却部与所述静电卡盘之间,且分别与所述第二冷却部和所述静电卡盘连接。

优选地,所述第一分管路包括第一支路和第二支路;所述第一阀块用于在未接收到所述控制信号时,将所述第一支路导通、并将所述第二支路断开,以使所述第一冷却部通过所述第一支路与所述静电卡盘的冷却液通道连通;

所述第二分管路包括第三支路和第四支路,所述第二阀块用于在接收到所述控制信号时,将所述第三支路导通、并将所述第四支路断开,以使所述第二冷却部通过所述第三支路与所述静电卡盘的冷却液通道连通。

优选地,所述第一分管路包括设置在所述第一支路上的第一进液开关阀、第一回液开关阀,所述第一进液开关阀、第一回液开关阀用于在所述第一分管路未接收到所述控制信号时保持开启状态,以使所述第一冷却部流出的冷却液通过所述第一支路流入所述静电卡盘;

所述第二分管路包括设置在所述第三支路上的第二进液开关阀、第二回液开关阀;所述第二进液开关阀、第二回液开关阀用于在所述第二分管路未接收到所述控制信号时保持关闭状态,以使所述第二冷却部流出的冷却液通过所述第四支路进行自循环。

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