[发明专利]一种电泳组装制备LED显示器的方法有效
| 申请号: | 202010638239.7 | 申请日: | 2020-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN112002792B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 张小齐;刘政;彭益;庄世强;吴新理;李燕 | 申请(专利权)人: | 深圳市隆利科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L21/67;H01L27/15;C25D13/22 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 肖宇扬;付静 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电泳 组装 制备 led 显示器 方法 | ||
本发明公开了一种电泳组装制备LED显示器的方法。该方法包括贴合一电泳基板于LED液体悬浮液上,对驱动电极和/或电极层施加电压,以捕获所述LED芯片于所述驱动电极通道中,对第一衬底进行退火以及通过退火使每个LED芯片和与其对应的驱动电极通道的驱动电极电性连接。本发明其可以简洁快速且精准地转移巨量的发光二极管,并具有高良率。
技术领域
本发明涉及半导体器件制造和光学系统,尤其涉及一种电泳组装制备LED 显示器的方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)就是“微”LED(发光二极管),微型发光二极管阵 列显示作为一种新显示技术,与其它显示技术,比如液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)等离子显 示(PlasmaDisplayPanel,PDP)等相比,其核心的不同之处在于其采用无机LED 作为发光像素。
制作好的微小的LED需要转移到做好驱动电路的基底上。无论是电视还是 手机屏,其像素的数量都是相当巨大的,以一个55寸4K电视为例,需要转移 的晶粒就高达2400万颗(以4000x 2000x RGB三色计算),即使一次转移1 万颗,也需要重复2400次,这种技术叫做巨量转移。巨量转印设备是实现三基 色Micro-LED芯片集成制造的关键。而4K或8K显示像素的尺寸较小,并且显 示产品对于像素错误的容忍度也很低,一块有“亮点”或“暗点”的显示屏无法满足 用户需求,所以将这些小像素可靠地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路 连接是十分困难、复杂的技术。实际上,“巨量转移”确实是目前Micro-LED商 业化上面的一大瓶颈技术。其转移的效率,成功率都决定着商业化的成功与否。 如何提高巨量转移后Micro-LED器件的良品率是值得研究的问题。将LED晶体 薄膜无需封装直接搬运到驱动背板上,在Micro-LED的生产上,要把数百万甚 至数千万颗微米级的LED晶粒正确且有效率的移动到电路基板上。
美国专利US20170133550A1首次提出用于制造发光显示器的流体组装方法, 其技术是在Micro LED组装期间藉由流体悬浮液体当介质,该Micro LED悬浮 液流过顶表面设置有多个井的发光基板从而Micro LED被捕获在井中,并利用 熔融焊料在井的毛细管的界面对Micro LED电极进行机械和电性连接,将Micro LED捕获及对准至焊点上。由于此方法中毛细管作用力过大且不可控,一反面 极易造成Micro LED损伤和失效,另一方面容易诱导Micro LED错位组装和堆 叠,因此难以确保转移精度和良率,无法满足横向精度要求高的巨量转移,而 且修复工艺繁杂耗时,难以满足大规模生产的要求。美国专利US20180261570A1 提出一种定向自组装的方式则是通过反磁漂浮的办法处理巨量转移Micro LED, 该方法包括将振动力施加到磁性台,磁性台包括多个磁体和以阵列布置的间隔 物;将多个铁磁性的LED芯片(每个铁磁性的LED芯片都具有铁磁条)沉积到 磁性平台上,振动力将多个铁磁性的LED芯片基本上均匀地分布在磁性平台的 表面上,并且其中振动力使多个铁磁性的LED芯片对准具有磁场最大磁场强度 节点;通过磁场的物理反转去除一组不在最大磁场强度节点中的铁磁性的LED 芯片。然而制备铁磁性的LED芯片是复杂的,因而反磁漂浮流体组装的技术是 昂贵的、缓慢的,并且可能缺少灵活性和与诸如LED芯片的脆弱的结构和兼容 性,这导致LED芯片分辨率的缺失和不均匀的LED芯片密度,这阻碍了复用、 小型化和信号定量。美国专利US20180053742A1提出将电子器件粘附于暂时性 固定层,通过扩张该暂时性固定层来改变LED间距从而转移到承载基板上。由 于此方法中暂时性固定层在横向和纵向均会扩张,难以确保横向转移精度,无 法满足横向精度要求高的巨量转移,且暂时性固定层扩张倍数有限,无法满足 大横向间距。这些技术遇到的问题是:1)转移的Micro-LED芯片尺寸极小 (3μm-200μm),需要极高精度的操作技术;2)一次转移需要移动几万乃至几 十万颗Micro-LED芯片,数量巨大;3)如何提升转移良率到99.99%,甚至更 高。
发明内容
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